H5AN4G6NBJR-RDC vs H5AN4G8NBJR-VKC مقایسه
مقایسه دقیق کنار به کنار H5AN4G6NBJR-RDC توسط SK hynix و H5AN4G8NBJR-VKC توسط SK hynix. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.
مقایسه مشخصات
| پارامتر | H5AN4G6NBJR-RDC | H5AN4G8NBJR-VKC |
|---|---|---|
| برند | SK hynix | SK hynix |
| دسته‌بندی | Memory ICs | Memory ICs |
| وضعیت چرخه عمر | فعال | فعال |
| نوع حافظه | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 4 Gb | — |
| سازمان | 256M x 16 | — |
| ولتاژ تغذیه | 1.2 V | — |
| رابط | CMOS, fully synchronous | — |
| Package Code | TFBGA (FBGA-96) | — |
| Package Shape | Rectangular | — |
| Package Width | 7.5 mm | — |
| Number of Terminals | 96 | — |
| نوع نصب | Surface Mount | Surface Mount |
| Temperature Grade | OTHER (per Partstack listing); -I industrial option -40C to +95C per family datasheet | — |
| Self Refresh | Auto / Self Refresh | — |
| Data Mask Function | Yes | — |
| Asynchronous Reset | Yes | — |
| On-Die Termination | Dynamic ODT | — |
| ZQ Calibration | Yes | — |
| Write Leveling | Yes | — |
| CRC Function | Yes | — |
| Lead-Free / Halogen-Free | Yes (per datasheet cover: Lead-Free & Halogen-Free) | — |
| Speed Grade | -RDC (see manufacturer datasheet for validated data-rate bin) | — |
| اندازه حافظه | — | 4 Gb |
| Memory Organization | — | 512M x8 |
| نرخ داده | — | 2666 Mbps (DDR4-2666) |
| Memory Interface | — | Parallel |
| Supply Voltage (VDD) | — | 1.2 V |
| بسته‌بندی | — | FBGA-78 (7.5 x 11 mm) |
| Technology | — | CMOS DRAM |
| Volatile / Non-Volatile | — | Volatile |
| دمای کاری | — | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| تأخیر CAS | — | [DATA_NEEDED: CAS latency for 2666 grade] |
| Refresh | — | [DATA_NEEDED: refresh rate] |
| وضعیت RoHS | — | Compliant (Lead-Free & Halogen-Free per datasheet) |
| Packaging | — | Tray |
| وضعیت چرخه عمر | — | Active |