H5AN4G8NBJR-VKIR vs H5AN4G8NBJR-PBC مقایسه

مقایسه دقیق کنار به کنار H5AN4G8NBJR-VKIR توسط SK hynix و H5AN4G8NBJR-PBC توسط SK hynix. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.

SK hynix
H5AN4G8NBJR-VKIR H5AN4G8NBJR-VKIR - 4Gb DDR4 2666Mbps DRAM | SK hynix

H5AN4G8NBJR-VKIR - 4Gb DDR4 2666Mbps DRAM | SK hynix

H5AN4G8NBJR-VKIR ✓ فعال
SK hynix
H5AN4G8NBJR-PBC H5AN4G8NBJR-PBC - 4Gb DDR4 SDRAM 512Mx8 FBGA-78 | SK hynix

H5AN4G8NBJR-PBC - 4Gb DDR4 SDRAM 512Mx8 FBGA-78 | SK hynix

H5AN4G8NBJR-PBC ✓ فعال

مقایسه مشخصات

پارامتر H5AN4G8NBJR-VKIR H5AN4G8NBJR-PBC
برند SK hynix SK hynix
دسته‌بندی Memory ICs Memory ICs
وضعیت چرخه عمر فعال فعال
نوع حافظه DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Density 4 Gb —
سازمان 512M x 8 512M x 8
نرخ داده 2666 Mbps per pin —
Supply Voltage (VDD) 1.2 V —
بسته‌بندی 78-ball FBGA 78-ball FBGA
نوع نصب Surface Mount Surface Mount
Operating Temperature (Industrial) -40C to +85C (case) —
Extended Temperature Range +85C to +95C (case, per datasheet conditions) up to 95C case (with increased refresh)
Technology CMOS DRAM —
Product Family H5AN4G4/6/8NBJR series —
Speed Grade Code -VKI —
Packing Suffix R (Tape & Reel) —
VPP Supply [DATA_NEEDED: VPP supply voltage] —
تأخیر CAS [DATA_NEEDED: CAS latency] —
Package Dimensions [DATA_NEEDED: package dimensions] —
Refresh [DATA_NEEDED: refresh interval specification] 8n prefetch, standard/auto refresh per DDR4 JEDEC
Memory Density — 4 Gbit
نوع رابط — Parallel, JEDEC DDR4
Supply Voltage VDD — 1.2 V
Supply Voltage VDDQ — 1.2 V
Speed Grade — PBC
Clock Frequency — [DATA_NEEDED: Clock Frequency]
CAS Latency (CL) — [DATA_NEEDED: CAS Latency]
Normal Operating Case Temperature — 0C to 85C
Lead Free — Yes
بدون هالوژن — Yes

دیتاشیت‌ها و منابع

مرور همه محصولات ایجاد BOM درخواست استعلام قیمت