H5AN8G6NDJR vs H5AN8G6NAFR-UHC مقایسه

مقایسه دقیق کنار به کنار H5AN8G6NDJR توسط SK hynix و H5AN8G6NAFR-UHC توسط SK hynix. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.

SK hynix
H5AN8G6NDJR H5AN8G6NDJR - 8Gb DDR4-3200 SDRAM | SK hynix

H5AN8G6NDJR - 8Gb DDR4-3200 SDRAM | SK hynix

H5AN8G6NDJR ✓ فعال
SK hynix
H5AN8G6NAFR-UHC H5AN8G6NAFR-UHC - 8Gb DDR4 SDRAM 2400MT/s | SK Hynix

H5AN8G6NAFR-UHC - 8Gb DDR4 SDRAM 2400MT/s | SK Hynix

H5AN8G6NAFR-UHC ✓ فعال

مقایسه مشخصات

پارامتر H5AN8G6NDJR H5AN8G6NAFR-UHC
برند SK hynix SK hynix
دسته‌بندی Memory ICs Memory ICs
وضعیت چرخه عمر فعال فعال
نوع حافظه DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM (CMOS)
Density 8 Gb —
سازمان 512M x 16 512M x 16
نرخ داده 3200 Mbps (DDR4-3200) 2400 MT/s
ولتاژ تغذیه 1.2 V 1.2 V
بسته‌بندی 96-ball FBGA (13mm x 7.5mm) 96-ball FBGA (TFBGA)
Number of Terminals 96 —
Maximum Supply Voltage (Vsup) 1.26 V —
Maximum Operating Temperature 85 °C —
Burst Length 8 (BL8), 4 (BC4) —
تأخیر CAS 22 cycles (at 3200 Mbps) —
Access Mode Multi Bank Page Burst —
JESD-30 Code R-PBGA-B96 —
RoHS Compliant —
ویژگی‌ها Auto self-refresh, auto precharge, asynchronous reset, data mask, dynamic ODT, ZQ calibration, CRC, write leveling —
Memory Density — 8 Gbit
Clock Architecture — Differential clock (CK_t / CK_c), fully synchronous
نوع نصب — Surface Mount
دمای کاری — 0C to +85C
Refresh — Auto self-refresh
Precharge — Auto precharge function
Reset — Asynchronous reset function
Data Mask — DM function supported
Termination — Dynamic on-chip termination (ODT)
Calibration — ZQ calibration function
Error Checking — CRC function
Write Leveling — Write leveling function supported
وضعیت RoHS — [DATA_NEEDED: RoHS status]

دیتاشیت‌ها و منابع

مرور همه محصولات ایجاد BOM درخواست استعلام قیمت