H5ANAG6NBJR-PBC vs H5AN4G6NBJR-VKC مقایسه

مقایسه دقیق کنار به کنار H5ANAG6NBJR-PBC توسط SK hynix و H5AN4G6NBJR-VKC توسط SK hynix. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.

SK hynix
H5ANAG6NBJR-PBC H5ANAG6NBJR-PBC - 16Gb DDR4 SDRAM DRAM Chip | SK hynix

H5ANAG6NBJR-PBC - 16Gb DDR4 SDRAM DRAM Chip | SK hynix

H5ANAG6NBJR-PBC ✓ فعال
SK hynix
H5AN4G6NBJR-VKC H5AN4G6NBJR-VKC - 4Gb DDR4 SDRAM 2666Mbps x16 | SK Hynix

H5AN4G6NBJR-VKC - 4Gb DDR4 SDRAM 2666Mbps x16 | SK Hynix

H5AN4G6NBJR-VKC ✓ فعال

مقایسه مشخصات

پارامتر H5ANAG6NBJR-PBC H5AN4G6NBJR-VKC
برند SK hynix SK hynix
دسته‌بندی Memory ICs Memory ICs
وضعیت چرخه عمر فعال فعال
نوع حافظه DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Density 16 Gb (2 GB) —
ولتاژ تغذیه 1.2 V —
Generation Max Data Rate 3200 MT/s (family max) —
بسته‌بندی FBGA-96 FBGA-96 / TFBGA (PBGA96)
نوع نصب Surface Mount Surface Mount
Self Refresh Auto self-refresh —
Data Mask Function Yes —
Asynchronous Reset Yes —
On-Chip Termination Dynamic ODT —
ZQ Calibration Yes —
Write Leveling Yes —
CRC Function Yes —
دمای کاری [DATA_NEEDED: Operating Temperature] -40C to +95C
Speed Bin (PBC) [DATA_NEEDED: Speed grade MT/s] —
سازمان [DATA_NEEDED: Organization x16/x8] —
وضعیت RoHS [DATA_NEEDED: RoHS Status] Compliant
اندازه حافظه — 4 Gbit
Memory Organization — 256M x 16
نرخ داده — 2666 Mbps
Clock Frequency — 1.6 GHz (internal reference per distributor data)
Supply Voltage (VDD) — 1.2 V nominal (1.14 V to 1.26 V)
Operating Current — 38 mA (typical, per distributor data)
رابط — Parallel
Technology — CMOS
Body Size — 13 mm, 1.2 mm profile, 0.8 mm ball pitch
Termination — Dynamic on-chip termination (ODT)
Calibration — ZQ calibration; write leveling
Protection Functions — Asynchronous reset; CRC; data mask
Refresh — Auto self-refresh
Packaging — Tray

دیتاشیت‌ها و منابع

مرور همه محصولات ایجاد BOM درخواست استعلام قیمت