H5ANAG8NBJR-PBC vs K4A8G085WB-BCPB مقایسه
مقایسه دقیق کنار به کنار H5ANAG8NBJR-PBC توسط SK hynix و K4A8G085WB-BCPB توسط Samsung Electronics. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.
مقایسه مشخصات
| پارامتر | H5ANAG8NBJR-PBC | K4A8G085WB-BCPB |
|---|---|---|
| برند | SK hynix | Samsung Electronics |
| دسته‌بندی | DRAM | Memory ICs |
| وضعیت چرخه عمر | فعال | فعال |
| قیمت واحد (USD) | — | $4.10 |
| نوع حافظه | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM (volatile DRAM) |
| Density | 16 Gbit (2 GB) | — |
| سازمان | x8 | — |
| Supply Voltage (VDD) | 1.2 V | — |
| Speed Grade / Data Rate | PBC suffix, DDR4-2666 class | — |
| بسته‌بندی | FBGA-78 (7.5 mm x 11 mm) | 78-ball FBGA (BGA78 / TFBGA), rectangular, 11 mm length |
| نوع نصب | Surface Mount | Surface Mount |
| Bank Architecture | 16 banks in 4 bank groups (DDR4 standard) | — |
| Prefetch | 8n | — |
| نوع رابط | Parallel, SSTL12 | — |
| دمای کاری | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | 0C to +85C |
| CAS Latency (typical bin) | [DATA_NEEDED: CAS latency] | — |
| Refresh | Self refresh, 1x/2x/4x refresh modes | — |
| Die Revision | BJR | — |
| وضعیت RoHS | Compliant (Lead-Free & Halogen-Free per Hynix family datasheet) | [DATA_NEEDED: RoHS status] |
| سطح MSL | [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] | — |
| Standard Package Quantity | [DATA_NEEDED: standard quantity] | — |
| اندازه حافظه | — | 8 Gb |
| Memory Organization | — | 1G x 8 |
| ولتاژ تغذیه | — | 1.2 V |
| Max Clock Frequency | — | 1066 MHz |
| Max Access Time | — | 0.18 ns |
| Max Standby Current | — | 0.016 mA |
| Refresh Cycles | — | 8192 |
| Technology | — | CMOS, 8Gb B-die |
| Number of Terminals | — | 78 |
| رابط | — | DDR4 SDRAM parallel interface |
| Operating Temperature Grade | — | Commercial (0C to 85C) |