IAUCN04S7N019GATMA1 vs IAUCN04S7L042GATMA1 مقایسه

مقایسه دقیق کنار به کنار IAUCN04S7N019GATMA1 توسط Infineon و IAUCN04S7L042GATMA1 توسط Infineon. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.

مقایسه مشخصات

پارامتر IAUCN04S7N019GATMA1 IAUCN04S7L042GATMA1
برند Infineon Infineon
دسته‌بندی MOSFETs MOSFETs
وضعیت چرخه عمر فعال فعال
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family OptiMOS 7 OptiMOS 7 40V
نوع ترانزیستور N-Channel MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) 40 V 40 V
Continuous Drain Current (ID, Tj) 147 A 77 A
On-Resistance RDS(on) typical 1.95 mOhm —
Maximum Power Dissipation (Tc) 81 W —
بسته‌بندی PG-THSOG-4-1 (SSO4G 5x6 mm) PG-THSOG-4 (SSO4G 5x6) leaded surface mount
نوع نصب Surface Mount Surface Mount (IMS substrate / FR4 with thermal vias)
Substrate Compatibility IMS substrates and legacy PCB —
Automotive Qualification AEC-Q101 (per family datasheet) —
وضعیت RoHS Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
Tape and Reel Packaging Yes (per ATMA1 suffix) —
محدوده دمای کاری [DATA_NEEDED: junction temperature range from datasheet] -55C to +175C (Tj)
Technology — Trench N-Channel MOSFET
Maximum Power Dissipation (PD, Tc) — 50 W
Polarity / Channel Type — N-Channel enhancement mode
Automotive Qualified — Yes (Automotive grade, AEC-Q101 expected for Infineon OptiMOS 7 automotive parts)
سطح MSL — 1
Packing — Tape & Reel (per -ATMA1 suffix)
Target Substrate — IMS substrate and legacy FR4 designs
On-State Resistance RDS(on) — [DATA_NEEDED: RDS(on) max @ VGS=10V]
Gate Threshold Voltage VGS(th) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max]
Total Gate Charge Qg — [DATA_NEEDED: Qg @ VGS=10V]

دیتاشیت‌ها و منابع

مرور همه محصولات ایجاد BOM درخواست استعلام قیمت