IAUCN04S7N037GATMA1 vs IAUA180N04S5N012AUMA1 مقایسه

مقایسه دقیق کنار به کنار IAUCN04S7N037GATMA1 توسط Infineon و IAUA180N04S5N012AUMA1 توسط Infineon. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.

Infineon
IAUCN04S7N037GATMA1 IAUCN04S7N037GATMA1 - 40V 91A OptiMOS 7 N-Ch MOSFET | Infineon

IAUCN04S7N037GATMA1 - 40V 91A OptiMOS 7 N-Ch MOSFET | Infineon

IAUCN04S7N037GATMA1 ✓ فعال
Infineon
IAUA180N04S5N012AUMA1 IAUA180N04S5N012AUMA1 - 40V 180A OptiMOS-5 N-MOSFET | Infineon

IAUA180N04S5N012AUMA1 - 40V 180A OptiMOS-5 N-MOSFET | Infineon

IAUA180N04S5N012AUMA1 ✓ فعال

مقایسه مشخصات

پارامتر IAUCN04S7N037GATMA1 IAUA180N04S5N012AUMA1
برند Infineon Infineon
دسته‌بندی MOSFETs MOSFETs
وضعیت چرخه عمر فعال فعال
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Series OptiMOS 7 OptiMOS-5 40 V
Technology Trench MOSFET, N-Channel OptiMOS-5 Trench
Drain-Source Voltage (VDS) 40 V 40 V
Continuous Drain Current (ID) at Tj 91 A —
On-State Resistance RDS(on) typical 3.65 mΩ at VGS = 10 V —
Power Dissipation (PD) at Tc 57 W —
بسته‌بندی SSO4G 5x6 mm² (PG-THSOG-4-1) PG-HSOF-5-2 (sTOLL, MO-319A / HSOF-5), 7x8 mm²
نوع نصب Surface Mount (IMS substrate attach compatible) Surface Mount
Channel Type N-Channel —
Operating Mode Enhancement —
Automotive Qualification AEC-Q101 AEC-Q101
وضعیت RoHS Compliant Compliant
سطح MSL [DATA_NEEDED: MSL level] —
محدوده دمای کاری [DATA_NEEDED: junction/ambient temperature limits] -55 °C to +175 °C (Tj)
Gate Charge (Qg) typical [DATA_NEEDED: total gate charge] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/range] —
Input Capacitance (Ciss) [DATA_NEEDED: Ciss] —
Part Number — IAUA180N04S5N012AUMA1
FET Type — N-Channel
Continuous Drain Current (ID) — 180 A (Tc)
Maximum Power Dissipation (PD) — 125 W (Tc)
R_DS(on) (max) — 1.2 mΩ at 10 V VGS
Gate-Source Voltage (VGS) max — ±20 V

دیتاشیت‌ها و منابع

مرور همه محصولات ایجاد BOM درخواست استعلام قیمت