IAUCN08S7L024ATMA1 vs IPC50N04S5L5R5ATMA1 مقایسه

مقایسه دقیق کنار به کنار IAUCN08S7L024ATMA1 توسط Infineon و IPC50N04S5L5R5ATMA1 توسط Infineon. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.

Infineon
IAUCN08S7L024ATMA1 IAUCN08S7L024ATMA1 - 80V 2.4mΩ OptiMOS 7 N-MOSFET | Infineon

IAUCN08S7L024ATMA1 - 80V 2.4mΩ OptiMOS 7 N-MOSFET | Infineon

IAUCN08S7L024ATMA1 ✓ فعال

مقایسه مشخصات

پارامتر IAUCN08S7L024ATMA1 IPC50N04S5L5R5ATMA1
برند Infineon Infineon
دسته‌بندی MOSFETs MOSFETs
وضعیت چرخه عمر فعال فعال
Technology OptiMOS™ 7 N-channel trench MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) 80 V 40 V
Continuous Drain Current (ID) 177 A (Tj) —
Continuous Drain Current (Silicon-limited) 150 A —
On-Resistance RDS(on) max 2.4 mΩ at VGS=10 V —
Power Dissipation (PD) 148 W (Tc) —
بسته‌بندی PG-TDSON-8-34 (SSO8 5x6 mm²) PG-TDSON-8-33 (TDSON EP 8-pin, exposed pad)
نوع نصب Surface Mount Surface Mount
محدوده دمای کاری -55C to +175C (Tj) -55 °C to +175 °C
Gate Threshold Voltage VGS(th) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max] —
Total Gate Charge Qg [DATA_NEEDED: Qg typ] —
Avalanche Energy Rated Yes (single-pulse) —
Automotive Qualification AEC-Q101 qualified —
وضعیت RoHS Compliant —
سطح MSL MSL1 (per JEDEC J-STD-020) —
نوع ترانزیستور — N-Channel MOSFET
Mode — Enhancement Mode
Continuous Drain Current (ID, Tc) — 50 A
Maximum Drain Current (silicon-limited, 25 °C) — 60 A
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10 V — 5.5 mΩ
Gate Threshold VGS(th) — Logic Level (enhancement at ≤ 4.5 V VGS)
Power Dissipation (Tc) — 42 W
Thermal Resistance Junction-to-Case RthJC — 3.6 K/W
AEC-Q101 Qualification — Qualified (automotive grade)
MSL (Moisture Sensitivity Level) — MSL1
Peak Reflow Temperature — 260 °C
Avalanche Rating — 100 % Avalanche Tested
RoHS / REACH — RoHS Compliant (Green Product)

دیتاشیت‌ها و منابع

مرور همه محصولات ایجاد BOM درخواست استعلام قیمت