IAUZN08S7L177ATMA1 vs IAUC120N04S6N010ATMA1 مقایسه

مقایسه دقیق کنار به کنار IAUZN08S7L177ATMA1 توسط Infineon و IAUC120N04S6N010ATMA1 توسط Infineon. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.

Infineon
IAUZN08S7L177ATMA1 IAUZN08S7L177ATMA1 - 80V 35A OptiMOS 7 N-MOSFET | Infineon

IAUZN08S7L177ATMA1 - 80V 35A OptiMOS 7 N-MOSFET | Infineon

IAUZN08S7L177ATMA1 ✓ فعال
Infineon
IAUC120N04S6N010ATMA1 IAUC120N04S6N010ATMA1 - 40V 1mΩ 150A N-Ch OptiMOS 6 | Infineon

IAUC120N04S6N010ATMA1 - 40V 1mΩ 150A N-Ch OptiMOS 6 | Infineon

IAUC120N04S6N010ATMA1 ✓ فعال

مقایسه مشخصات

پارامتر IAUZN08S7L177ATMA1 IAUC120N04S6N010ATMA1
برند Infineon Infineon
دسته‌بندی MOSFETs MOSFETs
وضعیت چرخه عمر فعال فعال
Technology OptiMOS 7 N-channel power MOSFET OptiMOS 6
Drain-Source Voltage (VDS) 80 V —
Continuous Drain Current (ID) 35 A (Tj) —
Power Dissipation (PD) 45 W (Tc) —
On-Resistance (RDS(on)) 17.7 mΩ max —
بسته‌بندی PG-TSDSON-8-44 (S3O8, 3x3 mm²) PG-TDSON-8-34 (5x6 mm leadless)
نوع نصب Surface Mount Surface Mount
Polarity N-Channel Single N-channel
دمای کاری -55C to +175C (Tj, automotive grade) —
Configuration Single —
Qualification AEC-Q101 automotive —
سطح MSL 1 (per JEDEC J-STD-020) 1 (per JEDEC J-STD-020, per Infineon TDSON family)
Lead-Free Yes —
وضعیت RoHS Compliant Compliant
Family Infineon OptiMOS 7 automotive, 80 V —
FET Type — N-Channel
Drain-Source Voltage (V(BR)DSS) — 40 V
Continuous Drain Current (Id, Tc) — 150 A
Power Dissipation (Pd, Tc) — 150 W
RDS(on) at VGS=10V (typ) — 1.0 mΩ
RDS(on) at VGS=10V (max per LCSC excerpt) — 1.03 mΩ
Gate-Source Threshold (VGS(th), typ) — 3 V (at 90 µA)
Automotive Qualification — AEC-Q101
محدوده دمای کاری — -55 °C to +175 °C (TJ, per Infineon OptiMOS 6 family)
Gate Drive Recommendation — 10 V VGS for full RDS(on) spec

دیتاشیت‌ها و منابع

مرور همه محصولات ایجاد BOM درخواست استعلام قیمت