IKD06N60RATMA1 vs IKD04N60RATMA1 مقایسه

مقایسه دقیق کنار به کنار IKD06N60RATMA1 توسط Infineon و IKD04N60RATMA1 توسط Infineon. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.

Infineon
IKD06N60RATMA1 IKD06N60RATMA1 - 600V 12A TRENCHSTOP RC-IGBT | Infineon

IKD06N60RATMA1 - 600V 12A TRENCHSTOP RC-IGBT | Infineon

IKD06N60RATMA1 ✓ فعال

مقایسه مشخصات

پارامتر IKD06N60RATMA1 IKD04N60RATMA1
برند Infineon Infineon
دسته‌بندی IGBTs IGBTs
وضعیت چرخه عمر فعال فعال
نوع ترانزیستور IGBT - Trench Field Stop with anti-parallel diode IGBT - Trench Field Stop with integrated diode
Configuration Single with built-in diode Single
Collector-Emitter Voltage (VCE) 600 V —
Continuous Collector Current (IC) at TC=25C 12 A 8 A
Pulsed Collector Current (ICM) [DATA_NEEDED: pulsed collector current] [DATA_NEEDED: pulsed collector current]
Maximum Power Dissipation 100 W —
Gate-Emitter Voltage (VGE) [DATA_NEEDED: VGE max rating] —
Technology TRENCHSTOP RC-IGBT3 (Reverse Conducting) —
VCE(sat) at IC=6A, VGE=15V [DATA_NEEDED: VCE(sat) typical] —
Diode Forward Voltage (VF) at IF=6A [DATA_NEEDED: VF typical] —
محدوده دمای کاری -40C to +150C (junction) -40C to +150C
بسته‌بندی PG-TO252-3 (DPAK) PG-TO252-3 (DPAK)
نوع نصب Surface Mount Surface Mount
تعداد پایه 3 (2 + Tab) 3 (2 leads + tab)
وضعیت RoHS Compliant Compliant
Automotive Qualified Yes (per FindIC listing) —
Switching Frequency Range (typical) 4 kHz to 20 kHz (hard-switching) —
Manufacturer — Infineon Technologies
Series — RC-Drives
Collector-Emitter Voltage (VCES) — 600 V
Power Dissipation (PD) at TC=25C — 75 W
Gate-Emitter Voltage (VGES) — [DATA_NEEDED: gate-emitter voltage rating]
VCE(sat) at IC=4A, VGE=15V — [DATA_NEEDED: VCE(sat) typical at 4A]
Gate Threshold Voltage (VGE(th)) — [DATA_NEEDED: VGE(th)]
Integrated Anti-Parallel Diode — Yes
سطح MSL — 1
Technology Target — Consumer drives / motor control

دیتاشیت‌ها و منابع

مرور همه محصولات ایجاد BOM درخواست استعلام قیمت