IPB037N06N3GATMA1 vs BSC050N04LSGATMA1 مقایسه

مقایسه دقیق کنار به کنار IPB037N06N3GATMA1 توسط Infineon و BSC050N04LSGATMA1 توسط Infineon. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.

Infineon
BSC050N04LSGATMA1 BSC050N04LSGATMA1 - 40V 85A N-Ch OptiMOS 3 | Infineon

BSC050N04LSGATMA1 - 40V 85A N-Ch OptiMOS 3 | Infineon

BSC050N04LSGATMA1 ✓ فعال

مقایسه مشخصات

پارامتر IPB037N06N3GATMA1 BSC050N04LSGATMA1
برند Infineon Infineon
دسته‌بندی MOSFETs MOSFETs
وضعیت چرخه عمر فعال فعال
Manufacturer Infineon Technologies —
Part Number IPB037N06N3GATMA1 —
Technology OptiMOS 3 (N-channel, enhancement mode) OptiMOS 3 (trench MOSFET)
Polarity / Channel Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) Max 60 V —
Continuous Drain Current (ID) at Tc 90 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current value] [DATA_NEEDED: pulsed drain current IDM]
On-Resistance RDS(on) Max 3.7 mOhm at VGS=10V —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 2.0 V to 3.5 V [DATA_NEEDED: VGS(th) typ/min/max]
Total Power Dissipation (Pd) at Tc 188 W —
محدوده دمای کاری -55 C to +175 C (junction) -55C to +150C
بسته‌بندی / کیس PG-TO263-3 (D2PAK, surface mount) —
نوع نصب Surface Mount Surface Mount
Gate Charge (Qg) Typ [DATA_NEEDED: gate charge value] —
وضعیت RoHS Compliant Compliant
سطح MSL 1 (unlimited) 1
Drain Tab Connection Tab electrically tied to drain —
FET Type — N-Channel
Drain-to-Source Voltage (VDS) — 40 V
Gate-to-Source Voltage (VGS) — ±20 V
Continuous Drain Current at 25C (ID, Ta) — 18 A
Continuous Drain Current at 25C (ID, Tc) — 85 A
Power Dissipation at Ta (PD) — 2.5 W
Power Dissipation at Tc (PD) — 57 W
On-State Resistance (RDS(on)) — [DATA_NEEDED: RDS(on) max at VGS=10V]
On-State Resistance (RDS(on)) at VGS=4.5V — [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=4.5V]
بسته‌بندی — PG-TDSON-8-5 (TDSON-8 EP, 5x6 mm)
Avalanche Energy Rated — Yes (single-pulse avalanche)

دیتاشیت‌ها و منابع

مرور همه محصولات ایجاد BOM درخواست استعلام قیمت