IPD50N03S4L06ATMA1 vs BSZ031NE2LS5ATMA1 مقایسه

مقایسه دقیق کنار به کنار IPD50N03S4L06ATMA1 توسط Infineon و BSZ031NE2LS5ATMA1 توسط Infineon. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.

Infineon
IPD50N03S4L06ATMA1 IPD50N03S4L06ATMA1 - 30V 50A N-Ch OptiMOS | Infineon

IPD50N03S4L06ATMA1 - 30V 50A N-Ch OptiMOS | Infineon

IPD50N03S4L06ATMA1 ✓ فعال

مقایسه مشخصات

پارامتر IPD50N03S4L06ATMA1 BSZ031NE2LS5ATMA1
برند Infineon Infineon
دسته‌بندی MOSFETs MOSFETs
وضعیت چرخه عمر فعال فعال
FET Type N-Channel, Enhancement Mode —
Drain-Source Voltage (V_DS) 30 V —
Continuous Drain Current (I_D, Tc) 50 A —
On-State Resistance (R_DS(on) max) 5.5 mOhm at V_GS = 10 V —
Gate Threshold Voltage (V_GS(th) typ) 2.2 V —
Total Gate Charge (Q_g) 31 nC at V_GS = 10 V —
Input Capacitance (C_iss) 2.33 nF —
Output Capacitance (C_oss) 600 pF —
Reverse Transfer Capacitance (C_rss) 34 pF —
Power Dissipation (P_D) 56 W at Tc = 25 C —
دمای اتصال کاری -55 C to +175 C -55 C to +150 C
بسته‌بندی PG-TO252-3-11 (DPAK), 3-pin (2 + tab), surface mount PG-TSDSON-8-FL (PQFN 3.3 x 3.3 mm)
نوع نصب Surface Mount Surface Mount
سطح MSL MSL1 (up to 260 C peak reflow) [DATA_NEEDED: MSL]
Automotive Qualification AEC-Q101 —
Avalanche Rating 100% Avalanche Tested —
وضعیت RoHS Compliant (Green Package) Compliant
Manufacturer — Infineon Technologies
Part Number — BSZ031NE2LS5ATMA1
Technology / Platform — OptiMOS 5 25V/30V N-channel trench MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) max — 25 V
Gate-Source Voltage (VGS) max — [DATA_NEEDED: VGS max]
Continuous Drain Current (ID) at Ta=25C — 19 A
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C — 40 A
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: IDM]
RDS(on) max @ VGS=10 V — 3.1 mOhm
RDS(on) typical @ VGS=4.5 V — [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=4.5V]
Power Dissipation at Ta=25C — 2.1 W
Power Dissipation at Tc=25C — 30 W
Lead-Free — Yes
بدون هالوژن — Yes

دیتاشیت‌ها و منابع

مرور همه محصولات ایجاد BOM درخواست استعلام قیمت