IPD60R385CPATMA1 vs IPB60R165CPATMA1 مقایسه

مقایسه دقیق کنار به کنار IPD60R385CPATMA1 توسط Infineon و IPB60R165CPATMA1 توسط Infineon. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.

مقایسه مشخصات

پارامتر IPD60R385CPATMA1 IPB60R165CPATMA1
برند Infineon Infineon
دسته‌بندی MOSFETs MOSFETs
وضعیت چرخه عمر فعال فعال
Manufacturer Infineon Technologies —
Series CoolMOS™ CP (5th generation) —
FET Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (V(BR)DSS) 600 V —
Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) 385 mΩ (typ, VGS = 10 V) —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C 9 A —
Pulsed Drain Current (IDM) 27 A —
Power Dissipation (PD) at TC=25°C 83 W —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th)] —
Gate Charge (Qg) 18 nC (typ) —
Reverse Recovery Charge (Qrr) [DATA_NEEDED: Qrr] —
Input Capacitance (Ciss) [DATA_NEEDED: Ciss] —
دمای اتصال کاری -55 °C to +150 °C —
بسته‌بندی / کیس PG-TO252-3 (DPAK) —
نوع نصب Surface Mount Surface Mount
تعداد پایه 3 (Gate, Drain, Source; tab = Drain) —
وضعیت RoHS Compliant Compliant (Pb-free lead plating)
سطح MSL 1 (per JEDEC J-STD-020) —
Technology — CoolMOS CP (superjunction, N-Channel)
Drain-Source Voltage (VDS) — 600 V
Continuous Drain Current (ID, Tc=25°C) — 21 A
Power Dissipation (PD, Tc=25°C) — 192 W
On-Resistance RDS(on), max (VGS=10V) — 165 mΩ
Gate-Source Voltage (VGS) — ±20 V
Gate Threshold Voltage (VGS(th), typ) — 3.5 V
Total Gate Charge (Qg, typ) — [DATA_NEEDED: Qg typical value]
Operating Temperature Range (TJ) — -55°C to +150°C
بسته‌بندی — PG-TO263-3-2 (D2PAK-2)
JEDEC Qualification — Qualified per JEDEC for target applications
dv/dt Ruggedness — Extreme dv/dt rated
Polarity / Channel — N-Channel

دیتاشیت‌ها و منابع

مرور همه محصولات ایجاد BOM درخواست استعلام قیمت