IPD60R385CPATMA1 vs IPB60R165CPATMA1 השוואה

השוואה מפורטת זה לצד זה של IPD60R385CPATMA1 מאת Infineon ו IPB60R165CPATMA1 מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.

השוואת מפרטים

פרמטר IPD60R385CPATMA1 IPB60R165CPATMA1
מותג Infineon Infineon
קטגוריה MOSFETs MOSFETs
סטטוס מחזור חיים פעיל פעיל
Manufacturer Infineon Technologies —
Series CoolMOS™ CP (5th generation) —
FET Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (V(BR)DSS) 600 V —
Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) 385 mΩ (typ, VGS = 10 V) —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C 9 A —
Pulsed Drain Current (IDM) 27 A —
Power Dissipation (PD) at TC=25°C 83 W —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th)] —
Gate Charge (Qg) 18 nC (typ) —
Reverse Recovery Charge (Qrr) [DATA_NEEDED: Qrr] —
Input Capacitance (Ciss) [DATA_NEEDED: Ciss] —
טמפרטורת צומת פעולה -55 °C to +150 °C —
מארז / Case PG-TO252-3 (DPAK) —
סוג הרכבה Surface Mount Surface Mount
מספר פינים 3 (Gate, Drain, Source; tab = Drain) —
סטטוס RoHS Compliant Compliant (Pb-free lead plating)
רמת MSL 1 (per JEDEC J-STD-020) —
Technology — CoolMOS CP (superjunction, N-Channel)
Drain-Source Voltage (VDS) — 600 V
Continuous Drain Current (ID, Tc=25°C) — 21 A
Power Dissipation (PD, Tc=25°C) — 192 W
On-Resistance RDS(on), max (VGS=10V) — 165 mΩ
Gate-Source Voltage (VGS) — ±20 V
Gate Threshold Voltage (VGS(th), typ) — 3.5 V
Total Gate Charge (Qg, typ) — [DATA_NEEDED: Qg typical value]
Operating Temperature Range (TJ) — -55°C to +150°C
מארז — PG-TO263-3-2 (D2PAK-2)
JEDEC Qualification — Qualified per JEDEC for target applications
dv/dt Ruggedness — Extreme dv/dt rated
Polarity / Channel — N-Channel

Datasheets ומשאבים

עיין בכל המוצרים צור BOM בקשת הצעת מחיר