IRF640NSTRLPBF vs IRF640NPBF مقایسه
مقایسه دقیق کنار به کنار IRF640NSTRLPBF توسط Infineon و IRF640NPBF توسط Infineon. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.
مقایسه مشخصات
| پارامتر | IRF640NSTRLPBF | IRF640NPBF |
|---|---|---|
| برند | Infineon | Infineon |
| دسته‌بندی | MOSFETs | MOSFETs |
| وضعیت چرخه عمر | فعال | فعال |
| FET Type | N-Channel | — |
| Technology | HEXFET (5th generation, trench MOSFET) | HEXFET (5th Generation) |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | 200 V | 200 V |
| Continuous Drain Current (ID, Tc=25C) | 18 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] |
| Maximum Power Dissipation (PD, Tc=25C) | 150 W | — |
| On-Resistance (RDS(on)) at VGS=10V | 0.15 ohm | — |
| Gate-to-Source Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min] | — |
| Total Gate Charge (Qg) | 44.7 nC | 44.7 nC |
| Input Capacitance (Ciss) | [DATA_NEEDED: Ciss] | — |
| Output Capacitance (Coss) | [DATA_NEEDED: Coss] | — |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss) | [DATA_NEEDED: Crss] | — |
| محدوده دمای اتصال کاری | -55C to +175C | — |
| بسته‌بندی | D2PAK (TO-263AB), surface mount, 3-pin (2+tab) | TO-220AB (through-hole, 3-pin) |
| نوع نصب | Surface Mount (Tape and Reel) | Through Hole |
| Lead-Free (PbF) | Yes | — |
| وضعیت RoHS | Compliant | Compliant |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | — | 18 A |
| Gate-to-Source Voltage (VGS) max | — | ±20 V |
| Static Drain-to-Source On-Resistance (RDS(on)) | — | 150 mOhm max at VGS = 10 V |
| Power Dissipation (PD) at Tc=25C | — | 150 W |
| دمای اتصال کاری | — | -55C to +150C |
| نوع ترانزیستور | — | N-Channel Enhancement Mode |
| Avalanche Energy Rated | — | Yes |
| dv/dt Rating | — | Dynamic, rated |
| Lead-Free | — | Yes (PBF suffix) |
| Manufacturer | — | Infineon (formerly International Rectifier) |