IRF7306TRPBF vs IRF7105PBF مقایسه

مقایسه دقیق کنار به کنار IRF7306TRPBF توسط Infineon و IRF7105PBF توسط Infineon. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.

مقایسه مشخصات

پارامتر IRF7306TRPBF IRF7105PBF
برند Infineon Infineon
دسته‌بندی MOSFETs MOSFETs
وضعیت چرخه عمر فعال فعال
Polarity P-Channel (dual) —
Number of Channels 2 (independent, in single package) —
Drain-to-Source Voltage (VDS) -30 V —
Continuous Drain Current (ID) -3.6 A at 25°C —
On-Resistance RDS(on) max 100 mOhm at VGS = -10 V —
Gate Threshold Voltage VGS(th) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max] —
Total Gate Charge Qg [DATA_NEEDED: Qg total] —
Maximum Power Dissipation 2 W at TA = 25°C —
Technology HEXFET Power MOSFET (Generation V) HEXFET (Fifth Generation)
محدوده دمای کاری -55°C to +150°C (junction) —
بسته‌بندی 8-SOIC (SO-8, 0.154 inch / 3.90 mm body width) —
نوع نصب Surface Mount Surface Mount
Packaging Tape & Reel (TR) —
سطح MSL 1 (per JEDEC J-STD-020) —
RoHS Compliance Yes (PBF suffix indicates Pb-free) Compliant
Qualification Consumer market qualification standards (per IR/Infineon datasheet) Industrial
Avalanche Rated Yes (ruggedized device per datasheet) —
Manufacturer — Infineon Technologies (formerly International Rectifier)
Part Number — IRF7105PBF
FET Type — N-Channel and P-Channel (Dual, Complementary)
N-Channel VDS (Drain-Source Voltage) — 25 V
P-Channel VDS (Drain-Source Voltage) — 25 V
N-Channel Continuous Drain Current (ID) — 3.5 A
P-Channel Continuous Drain Current (ID) — 2.3 A
Total Package Power Dissipation (PD) — 2 W
بسته‌بندی / کیس — 8-SOIC (SO-8)
تعداد پایه — 8
Lead-Free / Halogen-Free — Yes / Yes
MSL (Moisture Sensitivity Level) — MSL1
Soldering Compatibility — Vapor Phase, Infrared, Wave
dv/dt Rating — Dynamic (rated per datasheet)

دیتاشیت‌ها و منابع

مرور همه محصولات ایجاد BOM درخواست استعلام قیمت