IRF7306TRPBF vs IRF7105PBF השוואה

השוואה מפורטת זה לצד זה של IRF7306TRPBF מאת Infineon ו IRF7105PBF מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.

השוואת מפרטים

פרמטר IRF7306TRPBF IRF7105PBF
מותג Infineon Infineon
קטגוריה MOSFETs MOSFETs
סטטוס מחזור חיים פעיל פעיל
Polarity P-Channel (dual) —
Number of Channels 2 (independent, in single package) —
Drain-to-Source Voltage (VDS) -30 V —
Continuous Drain Current (ID) -3.6 A at 25°C —
On-Resistance RDS(on) max 100 mOhm at VGS = -10 V —
Gate Threshold Voltage VGS(th) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max] —
Total Gate Charge Qg [DATA_NEEDED: Qg total] —
Maximum Power Dissipation 2 W at TA = 25°C —
Technology HEXFET Power MOSFET (Generation V) HEXFET (Fifth Generation)
טווח טמפרטורת פעולה -55°C to +150°C (junction) —
מארז 8-SOIC (SO-8, 0.154 inch / 3.90 mm body width) —
סוג הרכבה Surface Mount Surface Mount
Packaging Tape & Reel (TR) —
רמת MSL 1 (per JEDEC J-STD-020) —
RoHS Compliance Yes (PBF suffix indicates Pb-free) Compliant
Qualification Consumer market qualification standards (per IR/Infineon datasheet) Industrial
Avalanche Rated Yes (ruggedized device per datasheet) —
Manufacturer — Infineon Technologies (formerly International Rectifier)
Part Number — IRF7105PBF
FET Type — N-Channel and P-Channel (Dual, Complementary)
N-Channel VDS (Drain-Source Voltage) — 25 V
P-Channel VDS (Drain-Source Voltage) — 25 V
N-Channel Continuous Drain Current (ID) — 3.5 A
P-Channel Continuous Drain Current (ID) — 2.3 A
Total Package Power Dissipation (PD) — 2 W
מארז / Case — 8-SOIC (SO-8)
מספר פינים — 8
Lead-Free / Halogen-Free — Yes / Yes
MSL (Moisture Sensitivity Level) — MSL1
Soldering Compatibility — Vapor Phase, Infrared, Wave
dv/dt Rating — Dynamic (rated per datasheet)

Datasheets ומשאבים

עיין בכל המוצרים צור BOM בקשת הצעת מחיר