IRFR2405TRLPBF vs IRFR220NPBF مقایسه

مقایسه دقیق کنار به کنار IRFR2405TRLPBF توسط Infineon و IRFR220NPBF توسط Infineon. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.

مقایسه مشخصات

پارامتر IRFR2405TRLPBF IRFR220NPBF
برند Infineon Infineon
دسته‌بندی MOSFETs MOSFETs
وضعیت چرخه عمر فعال فعال
نوع ترانزیستور N-Channel MOSFET —
Technology HEXFET (IR MOSFET, 7th generation) HEXFET (Planar)
Drain-Source Voltage (VDS) 55 V —
Continuous Drain Current (ID) at Tc 56 A —
Pulsed Drain Current (IDM) 200 A (typical, per datasheet family) —
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V 16 mOhm —
Gate Charge (Qg) typical 70 nC —
Power Dissipation (PD) at Tc 110 W —
Gate-Source Voltage (VGS) max ±20 V —
محدوده دمای کاری -55 C to +175 C (junction) -55C to +150C (junction)
بسته‌بندی TO-252AA (DPAK), 3-pin (2 + Tab) —
نوع نصب Surface Mount Surface Mount
Avalanche Energy Rated Yes (HEXFET ruggedized design) Yes (per datasheet characterization)
Lead-Free / RoHS Yes, PBF suffix indicates lead-free and RoHS compliant Yes, lead-free (PBF suffix)
Packaging Tape & Reel (TR) —
FET Type — N-Channel MOSFET, Metal Oxide
Drain-to-Source Voltage (VDS) — 200 V
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C — 5 A
Power Dissipation (PD) at TC=25C — 43 W
Static Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) max — 0.6 ohm at VGS = 10 V
بسته‌بندی / کیس — TO-252AA (DPAK)
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: gate threshold voltage]
Total Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: total gate charge]
تعداد پایه — 3 (Gate, Drain, Source) plus tab
سطح MSL — 1 (per JEDEC J-STD-020)

دیتاشیت‌ها و منابع

مرور همه محصولات ایجاد BOM درخواست استعلام قیمت