IRFR4615TRLPBF vs IRF7815TRPBF مقایسه

مقایسه دقیق کنار به کنار IRFR4615TRLPBF توسط Infineon و IRF7815TRPBF توسط Infineon. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.

Infineon
IRFR4615TRLPBF IRFR4615TRLPBF - 150V 33A N-Ch MOSFET, DPAK | Infineon

IRFR4615TRLPBF - 150V 33A N-Ch MOSFET, DPAK | Infineon

IRFR4615TRLPBF ✓ فعال
Infineon
IRF7815TRPBF IRF7815TRPBF - 150V N-Ch HEXFET MOSFET 5.1A | Infineon

IRF7815TRPBF - 150V N-Ch HEXFET MOSFET 5.1A | Infineon

IRF7815TRPBF ✓ فعال

مقایسه مشخصات

پارامتر IRFR4615TRLPBF IRF7815TRPBF
برند Infineon Infineon
دسته‌بندی MOSFETs MOSFETs
وضعیت چرخه عمر فعال فعال
Technology IR MOSFET (N-Channel Enhancement Mode) IR MOSFET (HEXFET)
Drain-Source Voltage (VDS) 150 V —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C 33 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
Gate-Source Voltage (VGS) max [DATA_NEEDED: VGS max] —
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V 42 mOhm —
Total Gate Charge (Qg) 26 nC —
Gate-Source Charge (Qgs) [DATA_NEEDED: Qgs] —
Gate-Drain Charge (Qgd) [DATA_NEEDED: Qgd] —
Power Dissipation (PD) at TC=25C 144 W —
Avalanche Energy (EAS) 109 mJ —
محدوده دمای کاری -55C to +175C -55C to +150C (Tj)
بسته‌بندی TO-252AA (DPAK) SO-8 (8-SO)
نوع نصب Surface Mount Surface Mount
Lead-Free / RoHS Yes (PBF suffix indicates Pb-free) —
انرژی بهمنی تک‌پالس 109 mJ —
FET Type — N-Channel MOSFET
Drain-to-Source Voltage (Vdss) — 150 V
Continuous Drain Current (Id) at Ta=25C — 5.1 A
Rds(on) Max at Vgs=10V — 43 mOhm
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) Typ — 3.0 V
Total Gate Charge (Qg) Typ — 25 nC
Maximum Power Dissipation (Ta=25C) — 2.5 W
سطح MSL — 1
وضعیت RoHS — Compliant (Pb-free)
Lead-Free — Yes
Configuration — Single
Avalanche Rated — Yes

دیتاشیت‌ها و منابع

مرور همه محصولات ایجاد BOM درخواست استعلام قیمت