IRFR5410TRPBF vs IRFR1018ETRPBF مقایسه
مقایسه دقیق کنار به کنار IRFR5410TRPBF توسط Infineon و IRFR1018ETRPBF توسط Infineon. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.
مقایسه مشخصات
| پارامتر | IRFR5410TRPBF | IRFR1018ETRPBF |
|---|---|---|
| برند | Infineon | Infineon |
| دسته‌بندی | MOSFETs | MOSFETs |
| وضعیت چرخه عمر | فعال | فعال |
| Polarity | P-Channel | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | -100 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TC = 25 °C | -13 A | — |
| Static Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) max at VGS = -10 V | 205 mΩ | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | ±20 V | — |
| Total Gate Charge (Qg) typ | 70 nC | — |
| بسته‌بندی | TO-252AA (DPAK), surface mount | TO-252AA (D-Pak) |
| Power Dissition (PD) at TC = 25 °C | 66 W | — |
| محدوده دمای کاری | -55 °C to +150 °C (TJ) | -55 °C to +175 °C |
| نوع نصب | Surface Mount | Surface Mount |
| Technology | HEXFET (advanced process, Gen 5) | HEXFET |
| Avalanche Rated | Yes (fully avalanche rated) | Yes |
| Lead-Free / RoHS Status | Lead-free, RoHS compliant (PBF suffix) | — |
| سطح MSL | [DATA_NEEDED: MSL rating] | 1 |
| RDS(on) Test Conditions | VGS = -10 V, ID = -7.0 A | — |
| FET Type | — | N-Channel |
| Drain-to-Source Voltage (Vdss) | — | 60 V |
| Continuous Drain Current (Id) | — | 79 A (Tc) |
| Pulsed Drain Current (Idm) | — | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] |
| Rds(on) Max @ Vgs=10V | — | 8.4 mΩ |
| Rds(on) Max @ Vgs=4.5V | — | [DATA_NEEDED: Rds(on) at 4.5V] |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | — | 2.0 V to 4.0 V |
| Total Gate Charge (Qg) | — | 46 nC |
| Input Capacitance (Ciss) | — | [DATA_NEEDED: Ciss] |
| Output Capacitance (Coss) | — | [DATA_NEEDED: Coss] |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss) | — | [DATA_NEEDED: Crss] |
| Maximum Power Dissipation (Pd) | — | 110 W (Tc) |
| وضعیت RoHS | — | Compliant |
| Lead-Free | — | Yes |