IRFS3006TRL7PP vs BSC076N04NDATMA1 مقایسه
مقایسه دقیق کنار به کنار IRFS3006TRL7PP توسط Infineon و BSC076N04NDATMA1 توسط Infineon. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.
مقایسه مشخصات
| پارامتر | IRFS3006TRL7PP | BSC076N04NDATMA1 |
|---|---|---|
| برند | Infineon | Infineon |
| دسته‌بندی | MOSFETs | MOSFETs |
| وضعیت چرخه عمر | فعال | فعال |
| نوع ترانزیستور | N-Channel MOSFET | — |
| Technology | HEXFET (IR MOSFET™ planar) | Trench MOSFET (OptiMOS 3) |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 60 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | 240 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | [DATA_NEEDED: pulsed drain current rating] | — |
| On-Resistance RDS(on) max | 2.1 mΩ (per Mouser snippet) | 7.6 mOhm |
| On-Resistance RDS(on) typ | 1.5 mΩ | — |
| Gate Charge (Qg) | 200 nC (typical) | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max] | 4 V (max, typical) |
| Power Dissipation (PD) at Tc | 375 W | — |
| دمای اتصال کاری | -55 °C to +175 °C | -55 C to +175 C |
| بسته‌بندی | D2PAK (TO-263), 7-Lead, Surface Mount | — |
| نوع نصب | Surface Mount | Surface Mount |
| Body Diode | Intrinsic, avalanche-rated | — |
| سطح MSL | 1 (unlimited) | — |
| وضعیت RoHS | Compliant | — |
| Avalanche Energy (EAS) | [DATA_NEEDED: single-pulse avalanche energy] | — |
| RθJC Thermal Resistance | [DATA_NEEDED: junction-to-case thermal resistance] | — |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| Series | — | OptiMOS 3 |
| Configuration | — | Dual N-Channel (independent MOSFETs) |
| Drain-Source Voltage (VDS) max | — | 40 V |
| Continuous Drain Current (ID) | — | 20 A (Tc) |
| Power Dissipation (Ta) | — | 2.3 W |
| Power Dissipation (Tc) | — | 65 W |
| Qgd/Qgs Ratio | — | < 0.8 (high shot-through immunity) |
| بسته‌بندی / کیس | — | PG-TDSON-8-4 (SuperSO8, 5x6 mm) |
| RoHS / Pb-Free | — | Compliant (Pb-free plating) |
| FET Type | — | 2x N-Channel MOSFET array |