IRFZ34NPBF vs IRFR3411TRPBF مقایسه

مقایسه دقیق کنار به کنار IRFZ34NPBF توسط Infineon و IRFR3411TRPBF توسط Infineon. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.

مقایسه مشخصات

پارامتر IRFZ34NPBF IRFR3411TRPBF
برند Infineon Infineon
دسته‌بندی MOSFETs MOSFETs
وضعیت چرخه عمر فعال فعال
Manufacturer Infineon Technologies (formerly International Rectifier) —
Part Status Active —
FET Type N-Channel, Enhancement Mode MOSFET (Metal Oxide)
Technology HEXFET (Planar DMOS, 5th generation) HEXFET Power MOSFET (IR)
Drain-Source Voltage (V_DSS) 55 V —
Continuous Drain Current (I_D) at Tc=25C 29 A —
Pulsed Drain Current (I_DM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
Power Dissipation (P_D) at Tc=25C 68 W —
On-Resistance R_DS(on) max at V_GS=10V 40 mOhm —
Gate Charge (Q_g) typ 22.7 nC —
Gate Threshold Voltage V_GS(th) typ [DATA_NEEDED: gate threshold voltage] —
Input Capacitance (C_iss) typ [DATA_NEEDED: input capacitance] —
محدوده دمای کاری -55 C to +175 C -55 C to +175 C
Maximum Junction Temperature 175 C 175 C
بسته‌بندی TO-220AB (3-pin + tab, through-hole) TO-252AA (DPAK)
نوع نصب Through Hole Surface Mount
Lead-Free Status Yes (Pb-free, RoHS compliant) —
Qualification JEDEC standard —
وضعیت RoHS Compliant —
Configuration Single N-Channel, 3-pin (3+tab) —
Polarity — N-Channel
V(BR)DSS (Drain-Source Breakdown Voltage) — 100 V
RDS(on) max @ VGS=10V — 44 mOhm
Continuous Drain Current (Id) @ Tc — 32 A
Pulsed Drain Current (Idm) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
Power Dissipation (Pd) @ Tc — 130 W
Gate Charge (Qg) — 48 nC
Operating Mode — Enhancement
تعداد پین‌ها — 3
Avalanche Rated — Yes (fully avalanche rated)
dv/dt Rating — Dynamic dv/dt rated
Lead-Free / RoHS — Yes (Lead-free, PBF suffix)

دیتاشیت‌ها و منابع

مرور همه محصولات ایجاد BOM درخواست استعلام قیمت