ISC056N08NM6ATMA1 vs IQDH35N03LM5SCATMA1 مقایسه
مقایسه دقیق کنار به کنار ISC056N08NM6ATMA1 توسط Infineon و IQDH35N03LM5SCATMA1 توسط Infineon. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.
مقایسه مشخصات
| پارامتر | ISC056N08NM6ATMA1 | IQDH35N03LM5SCATMA1 |
|---|---|---|
| برند | Infineon | Infineon |
| دسته‌بندی | MOSFETs | MOSFETs |
| وضعیت چرخه عمر | فعال | فعال |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Part Number | ISC056N08NM6ATMA1 | — |
| Series | OptiMOS 6 | — |
| Technology | N-Channel Trench MOSFET (OptiMOS 6) | OptiMOS 5 (trench, shielded-gate) |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 80 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TA=25°C | 15.3 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C | 88 A | — |
| Power Dissipation (PD) at TA=25°C | 3 W | — |
| Power Dissipation (PD) at TC=25°C | 100 W | — |
| بسته‌بندی | PG-TDSON-8 FL (TDSON-8 Flat Lead) | PG-WHSON-8-U02 (PQFN 5x6 Source-Down, 8-pin) |
| نوع نصب | Surface Mount | Surface Mount |
| Polarity | N-Channel | — |
| محدوده دمای کاری | -55°C to +175°C | -55 C to +175 C |
| سطح MSL | 1 (per JEDEC J-STD-020) | 1 (unlimited) |
| وضعیت RoHS | Compliant | Compliant |
| نوع ترانزیستور | — | N-Channel MOSFET |
| Drain-Source Voltage (VDS) max | — | 30 V |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | — | ±20 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta | — | 66 A |
| Pulsed Drain Current (IDM) at Tc | — | 700 A |
| On-State Resistance (RDS(on)) max | — | 0.35 mOhm @ VGS=10V |
| Power Dissipation (PD) at Ta | — | 2.5 W |
| Power Dissipation (PD) at Tc | — | 278 W |
| Marking | — | IQDH35N03LM5S |