K4A8G085WB-BIWE vs K4A8G085WB-BICR مقایسه
مقایسه دقیق کنار به کنار K4A8G085WB-BIWE توسط Samsung Electronics و K4A8G085WB-BICR توسط Samsung Electronics. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.
Samsung Electronics
K4A8G085WB-BICR - Samsung 8Gb DDR4 1Gx8 2400Mbps Industrial
K4A8G085WB-BICR ✓ فعالمقایسه مشخصات
| پارامتر | K4A8G085WB-BIWE | K4A8G085WB-BICR |
|---|---|---|
| برند | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| دسته‌بندی | Memory ICs | Memory ICs |
| وضعیت چرخه عمر | فعال | فعال |
| نوع حافظه | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| اندازه حافظه | 8 Gb | — |
| Memory Organization | 1G x 8 | — |
| نرخ داده | 3200 Mbps | 2400 Mbps |
| ولتاژ تغذیه | 1.2 V | 1.2 V (VDD/VDDQ) |
| دمای کاری | 0°C to +85°C | — |
| بسته‌بندی | 78-FBGA | 78-ball FBGA |
| نوع نصب | Surface Mount | Surface Mount |
| Memory Interface | Parallel | — |
| Access Time | [DATA_NEEDED: tRCD, tRP, tRAS] | — |
| تأخیر CAS | [DATA_NEEDED: CL value] | — |
| Refresh | Auto-refresh, self-refresh | — |
| وضعیت RoHS | Compliant | Compliant |
| Lead-Free | Yes | Yes |
| بدون هالوژن | Yes | — |
| Density | — | 8 Gb |
| سازمان | — | 1G x 8 |
| Number of Banks | — | 16 |
| Refresh Cycles | — | 8192 |
| تعداد پایه | — | 78 |
| Temperature Grade | — | Industrial (I-grade) |
| محدوده دمای کاری | — | [DATA_NEEDED: exact temperature range for BICR industrial suffix] |
| Die / Process | — | Samsung 8Gb B-die DDR4 |
| Speed Grade | — | DDR4-2400 (PC4-19200) |
| Refresh Management | — | Row refresh, auto-refresh and self-refresh supported |