K4A8G085WC-BCTD vs K4A8G085WC-BCPB مقایسه
مقایسه دقیق کنار به کنار K4A8G085WC-BCTD توسط Samsung Electronics و K4A8G085WC-BCPB توسط Samsung Electronics. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.
Samsung Electronics
K4A8G085WC-BCTD - 8Gb DDR4 SDRAM 2666Mbps 1.2V | Samsung
K4A8G085WC-BCTD ⚠ آخرین فرصت خریدSamsung Electronics
K4A8G085WC-BCPB - 8Gb DDR4 SDRAM 2133Mbps 1.2V | Samsung
K4A8G085WC-BCPB ✗ پایان تولیدمقایسه مشخصات
| پارامتر | K4A8G085WC-BCTD | K4A8G085WC-BCPB |
|---|---|---|
| برند | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| دسته‌بندی | Memory ICs | DRAM |
| وضعیت چرخه عمر | آخرین فرصت خرید | پایان عمر محصول |
| نوع حافظه | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 8 Gb | 8 Gb |
| سازمان | 1G x 8 | 1G x 8 |
| نرخ داده | 2666 Mbps (PC4-2133) | 2133 Mbps |
| Supply Voltage (VDD/VDDQ) | 1.2 V (1.14 V to 1.26 V) | — |
| بسته‌بندی | 78-ball FBGA (78FBGA) | 78FBGA |
| Ball Pitch | 0.8 mm | — |
| دمای کاری | 0C to +95C | 0 C to +85 C |
| Standard Operating Temp Range | 0C to +85C | — |
| Burst Length | 8 (chop 4) | — |
| Auto Precharge | Yes | — |
| Asynchronous Reset | Yes | — |
| CRC Function | Yes | — |
| ZQ Calibration | Yes | — |
| Dynamic ODT | Yes | — |
| Data Mask | Yes | — |
| نوع رابط | Synchronous, parallel | — |
| نوع نصب | Surface Mount | Surface Mount |
| وضعیت RoHS | [DATA_NEEDED: RoHS status] | [DATA_NEEDED: RoHS status] |
| ولتاژ تغذیه | — | 1.2 V |
| Number of Terminals | — | 78 |
| Maximum Seated Height | — | 1.2 mm |
| Speed Grade | — | DDR4-2133 |
| ویژگی‌ها | — | Auto precharge, asynchronous reset, CRC, ZQ calibration, dynamic ODT, data mask |
| Refresh | — | [DATA_NEEDED: refresh rate 1x/2x] |
| تأخیر CAS | — | [DATA_NEEDED: CAS latency] |
| Die Revision | — | [DATA_NEEDED: die revision] |
| Standard Package Quantity | — | [DATA_NEEDED: standard package quantity] |