K4B4G1646E-BYMA vs H5TC4G63MFR-PBA مقایسه
مقایسه دقیق کنار به کنار K4B4G1646E-BYMA توسط Samsung Electronics و H5TC4G63MFR-PBA توسط SK hynix. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.
مقایسه مشخصات
| پارامتر | K4B4G1646E-BYMA | H5TC4G63MFR-PBA |
|---|---|---|
| برند | Samsung Electronics | SK hynix |
| دسته‌بندی | Memory ICs | Memory ICs |
| وضعیت چرخه عمر | فعال | فعال |
| قیمت واحد (USD) | $14.32 | — |
| نوع حافظه | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| Density | 4 Gb | 4 Gb |
| سازمان | 256M x 16 | 256M x 16 |
| ولتاژ تغذیه | 1.35 V (1.28 V to 1.575 V) | — |
| Clock Frequency | 933 MHz | — |
| نرخ داده | 1866 Mbps/pin | 1866 Mbps (PC3L-14900) |
| دمای کاری | 0°C to +95°C | — |
| Operating Current | 14 mA | — |
| Standby Current | 2 mA, 3 mA | — |
| بسته‌بندی | FBGA-96 | 96-ball FBGA |
| نوع نصب | Surface Mount | — |
| RoHS | Compliant | — |
| تأخیر CAS | [DATA_NEEDED: CAS Latency] | — |
| Burst Length | [DATA_NEEDED: Burst Length] | BL8, BL4 (with burst chop) |
| تعداد پین‌ها | 96 | — |
| Supply Voltage (VDD/VDDQ) | — | 1.35V (+0.100V/-0.067V) |
| Number of Banks | — | 8 |
| CAS Latency (CL) | — | Programmable |
| CAS Write Latency (CWL) | — | Programmable |
| Additive Latency | — | Programmable |
| On-Die Termination (ODT) | — | Yes |
| ZQ Calibration | — | Yes |
| Write Leveling | — | Yes |
| Auto Self-Refresh | — | Yes |
| Temperature-Compensated Self-Refresh | — | Yes |
| Process Technology | — | 30nm-class |
| RoHS Compliant | — | Yes (Lead-Free & Halogen-Free) |