K4B4G1646E-BYMA vs H5TC4G63MFR-PBA So sánh
So sánh chi tiết song song của K4B4G1646E-BYMA bằng Samsung Electronics và H5TC4G63MFR-PBA bằng SK hynix. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.
So sánh thông số kỹ thuật
| Tham số | K4B4G1646E-BYMA | H5TC4G63MFR-PBA |
|---|---|---|
| Thương hiệu | Samsung Electronics | SK hynix |
| Danh mục | Memory ICs | Memory ICs |
| Trạng thái vòng đời | Hoạt động | Hoạt động |
| Giá đơn vị (USD) | $14,32 | — |
| Kiểu bộ nhớ | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| Density | 4 Gb | 4 Gb |
| Tổ chức | 256M x 16 | 256M x 16 |
| Điện áp cung cấp | 1.35 V (1.28 V to 1.575 V) | — |
| Clock Frequency | 933 MHz | — |
| Tốc độ dữ liệu | 1866 Mbps/pin | 1866 Mbps (PC3L-14900) |
| Nhiệt độ hoạt động | 0°C to +95°C | — |
| Operating Current | 14 mA | — |
| Standby Current | 2 mA, 3 mA | — |
| Hộp | FBGA-96 | 96-ball FBGA |
| Kiểu lắp đặt | Surface Mount | — |
| RoHS | Compliant | — |
| Latency CAS | [DATA_NEEDED: CAS Latency] | — |
| Burst Length | [DATA_NEEDED: Burst Length] | BL8, BL4 (with burst chop) |
| Số lượng chân | 96 | — |
| Supply Voltage (VDD/VDDQ) | — | 1.35V (+0.100V/-0.067V) |
| Number of Banks | — | 8 |
| CAS Latency (CL) | — | Programmable |
| CAS Write Latency (CWL) | — | Programmable |
| Additive Latency | — | Programmable |
| On-Die Termination (ODT) | — | Yes |
| ZQ Calibration | — | Yes |
| Write Leveling | — | Yes |
| Auto Self-Refresh | — | Yes |
| Temperature-Compensated Self-Refresh | — | Yes |
| Process Technology | — | 30nm-class |
| RoHS Compliant | — | Yes (Lead-Free & Halogen-Free) |