M29F400FT55N3F2 vs M29F200FT55N3F2 مقایسه
مقایسه دقیق کنار به کنار M29F400FT55N3F2 توسط Micron Technology و M29F200FT55N3F2 توسط Micron Technology. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.
Micron Technology
M29F400FT55N3F2 - 4Mbit 5V Parallel NOR Flash 55ns | Micron
M29F400FT55N3F2 ✓ فعال
مقایسه مشخصات
| پارامتر | M29F400FT55N3F2 | M29F200FT55N3F2 |
|---|---|---|
| برند | Micron Technology | Micron Technology |
| دسته‌بندی | EEPROM | Memory ICs |
| وضعیت چرخه عمر | فعال | فعال |
| نوع حافظه | NOR Flash (SLC) | NOR Flash, Parallel |
| اندازه حافظه | 4 Mbit | — |
| سازمان | 256K x 16 | 256K x 8-bit / 128K x 16-bit |
| رابط | Parallel | Parallel, BYTE pin selects 8/16-bit bus |
| Access Time | 55 ns | 55 ns |
| ولتاژ تغذیه | 5 V | — |
| Block Architecture | Top boot block | — |
| بسته‌بندی | 44-SO (SOP-44) | 48-pin TSOP |
| نوع نصب | Surface Mount | Surface Mount |
| Temperature Grade | Auto Grade 3, up to +125C (per Micron ordering code) | — |
| Compliance Suffix | F2 (RoHS-compliant, lead-free plating) | — |
| Programming Voltage | Single supply (no 12 V VPP required) | — |
| Technology | Floating-gate NOR cell, charge-pump program/erase | — |
| Max Standby Current | [DATA_NEEDED: standby current] | — |
| Program/Erase Endurance | [DATA_NEEDED: endurance cycles] | — |
| دمای کاری | [DATA_NEEDED: min operating temperature] | -40C to +125C |
| Density | — | 2 Mbit (2097 kbits) |
| Supply Voltage (VCC) | — | 5 V |
| Number of Words | — | 128 K |
| Bits per Word | — | 16 bits |
| Boot Block Architecture | — | Top Boot Block |
| Program/Erase | — | Embedded byte/word program algorithms |
| Packaging | — | Tape & Reel (TR suffix) |
| وضعیت RoHS | — | [DATA_NEEDED: RoHS status] |
| سطح MSL | — | [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] |