M29F400FT55N3F2 vs M29F200FT55N3F2 השוואה
השוואה מפורטת זה לצד זה של M29F400FT55N3F2 מאת Micron Technology ו M29F200FT55N3F2 מאת Micron Technology. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.
Micron Technology
M29F400FT55N3F2 - 4Mbit 5V Parallel NOR Flash 55ns | Micron
M29F400FT55N3F2 ✓ פעיל
השוואת מפרטים
| פרמטר | M29F400FT55N3F2 | M29F200FT55N3F2 |
|---|---|---|
| מותג | Micron Technology | Micron Technology |
| קטגוריה | EEPROM | Memory ICs |
| סטטוס מחזור חיים | פעיל | פעיל |
| סוג זיכרון | NOR Flash (SLC) | NOR Flash, Parallel |
| גודל זיכרון | 4 Mbit | — |
| ארגון | 256K x 16 | 256K x 8-bit / 128K x 16-bit |
| ממשק | Parallel | Parallel, BYTE pin selects 8/16-bit bus |
| Access Time | 55 ns | 55 ns |
| מתח אספקה | 5 V | — |
| Block Architecture | Top boot block | — |
| מארז | 44-SO (SOP-44) | 48-pin TSOP |
| סוג הרכבה | Surface Mount | Surface Mount |
| Temperature Grade | Auto Grade 3, up to +125C (per Micron ordering code) | — |
| Compliance Suffix | F2 (RoHS-compliant, lead-free plating) | — |
| Programming Voltage | Single supply (no 12 V VPP required) | — |
| Technology | Floating-gate NOR cell, charge-pump program/erase | — |
| Max Standby Current | [DATA_NEEDED: standby current] | — |
| Program/Erase Endurance | [DATA_NEEDED: endurance cycles] | — |
| טמפרטורת פעולה | [DATA_NEEDED: min operating temperature] | -40C to +125C |
| Density | — | 2 Mbit (2097 kbits) |
| Supply Voltage (VCC) | — | 5 V |
| Number of Words | — | 128 K |
| Bits per Word | — | 16 bits |
| Boot Block Architecture | — | Top Boot Block |
| Program/Erase | — | Embedded byte/word program algorithms |
| Packaging | — | Tape & Reel (TR suffix) |
| סטטוס RoHS | — | [DATA_NEEDED: RoHS status] |
| רמת MSL | — | [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] |