MRF8S21200HSR6 vs MRF8S21200HR6 مقایسه
مقایسه دقیق کنار به کنار MRF8S21200HSR6 توسط NXP Semiconductors و MRF8S21200HR6 توسط NXP Semiconductors. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.
NXP Semiconductors
MRF8S21200HR6 - 48W RF Power LDMOS MOSFET | NXP | LTE Base Station
MRF8S21200HR6 ✓ فعالمقایسه مشخصات
| پارامتر | MRF8S21200HSR6 | MRF8S21200HR6 |
|---|---|---|
| برند | NXP Semiconductors | NXP Semiconductors |
| دسته‌بندی | MOSFETs | MOSFETs |
| وضعیت چرخه عمر | فعال | فعال |
| نوع ترانزیستور | LDMOS, Dual N-Channel, Enhancement-Mode Lateral MOSFET | LDMOS (Dual), N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFET |
| Frequency Band | 2110 MHz to 2170 MHz | — |
| Output Power (Avg, W-CDMA/LTE) | 48 W at 28 V | — |
| Power Gain | 18.1 dB | 18.1 dB |
| Test Voltage | 28 V | 28 V |
| Test Current (Quiescent) | 1.4 A | — |
| Minimum Breakdown Voltage (Drain-Source) | 65 V | — |
| Maximum Junction Temperature | 225 C | — |
| Mounting Configuration | Surface Mount (NI-1230HS ceramic package) | — |
| Application Class | Class AB, Class C (cellular base station modulation) | — |
| Peak Reflow Temperature | 260 C | — |
| Number of Elements / Configuration | Dual, Common Source, 2 Elements | — |
| Lead Free Status | Lead Free | — |
| Technology | Silicon LDMOS (lateral double-diffused MOSFET) | — |
| Target Modulation | W-CDMA, LTE, TD-LTE | — |
| Frequency | — | 2.11 GHz to 2.17 GHz (2110-2170 MHz) |
| Test Current | — | 1.4 A |
| Output Power (Average) | — | 48 W |
| Drain-Source Voltage (Max) | — | 65 V |
| Configuration | — | Common Source, 2 elements |
| Case Connection | — | Source |
| نوع نصب | — | Surface Mount (NI-1230 ceramic flange) |
| بسته‌بندی | — | NI-1230 |
| Application | — | W-CDMA, LTE base station power amplifiers |
| Class of Operation | — | Class AB, Class C |
| Surface Mount | — | Yes |
| وضعیت RoHS | — | Compliant |