MT40A1G8SA-075:E vs K4A8G085WB-BIWE مقایسه
مقایسه دقیق کنار به کنار MT40A1G8SA-075:E توسط Micron Technology و K4A8G085WB-BIWE توسط Samsung Electronics. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.
مقایسه مشخصات
| پارامتر | MT40A1G8SA-075:E | K4A8G085WB-BIWE |
|---|---|---|
| برند | Micron Technology | Samsung Electronics |
| دسته‌بندی | Memory ICs | Memory ICs |
| وضعیت چرخه عمر | فعال | فعال |
| نوع حافظه | SDRAM - DDR4 | DDR4 SDRAM |
| اندازه حافظه | 8Gbit (1G x 8) | 8 Gb |
| رابط | Parallel | — |
| Clock Frequency | 1.33 GHz | — |
| نرخ داده | 2666 MT/s | 3200 Mbps |
| Supply Voltage (VDD/VDDQ) | 1.2V ±60mV | — |
| VPP Supply Voltage | 2.5V (-125mV, +250mV) | — |
| محدوده دمای کاری | 0°C to +95°C | — |
| Refresh Time | 64ms at -40°C to 85°C, 32ms at >85°C to 95°C, 16ms at >95°C to 105°C | — |
| بسته‌بندی | 78-FBGA (7.5x11 mm) | 78-FBGA |
| نوع نصب | Surface Mount | Surface Mount |
| Write Leveling | Supported | — |
| Dynamic On-Chip Termination | Supported | — |
| CRC Function | Supported | — |
| Data Mask Function | Supported | — |
| وضعیت RoHS | Compliant | Compliant |
| Memory Organization | — | 1G x 8 |
| ولتاژ تغذیه | — | 1.2 V |
| دمای کاری | — | 0°C to +85°C |
| Memory Interface | — | Parallel |
| Access Time | — | [DATA_NEEDED: tRCD, tRP, tRAS] |
| تأخیر CAS | — | [DATA_NEEDED: CL value] |
| Refresh | — | Auto-refresh, self-refresh |
| Lead-Free | — | Yes |
| بدون هالوژن | — | Yes |