MT40A256M16GE-083E vs H5AN4G6NBJR-PBC مقایسه
مقایسه دقیق کنار به کنار MT40A256M16GE-083E توسط Micron Technology و H5AN4G6NBJR-PBC توسط SK hynix. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.
Micron Technology
MT40A256M16GE-083E - DDR4 4Gb 256Mx16 2400MHz DRAM | Micron
MT40A256M16GE-083E ✗ پایان تولیدمقایسه مشخصات
| پارامتر | MT40A256M16GE-083E | H5AN4G6NBJR-PBC |
|---|---|---|
| برند | Micron Technology | SK hynix |
| دسته‌بندی | Memory ICs | Memory ICs |
| وضعیت چرخه عمر | پایان عمر محصول | فعال |
| نوع حافظه | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 4 Gbit | — |
| سازمان | 256M x 16 | 256M x 16 (268435456 words x 16 bits) |
| Clock Frequency | 1200 MHz (DDR4-2400) | — |
| ولتاژ تغذیه | 1.2 V | — |
| بسته‌بندی | 96-ball FBGA, 9 x 14 mm | FBGA-96 (PBGA96), rectangular |
| نوع نصب | Surface Mount | Surface Mount |
| رابط | Parallel | DDR4 (double data rate, synchronous) |
| Technology | CMOS DRAM | — |
| ECCN | EAR99 | — |
| Country of Origin | China | — |
| بدون هالوژن | Compliant | — |
| Lead Free | Yes | — |
| Introduction Date | August 2017 | — |
| Lifecycle | Obsolete / End of Life (per distributor cross-reference data) | — |
| دمای کاری | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | [DATA_NEEDED: temperature range for -C grade] |
| تأخیر CAS | [DATA_NEEDED: CAS latency at DDR4-2400] | [DATA_NEEDED: CAS latency for PBC speed grade] |
| Refresh | [DATA_NEEDED: refresh rate] | — |
| Memory Density | — | 4 Gbit |
| Supply Voltage (VDD) | — | 1.2 V |
| Package Code | — | TFBGA |
| Number of Terminals | — | 96 |
| ویژگی‌ها | — | Auto self-refresh, data mask, asynchronous reset, dynamic ODT, ZQ calibration, write leveling, CRC |
| Data Rate / Speed Grade | — | [DATA_NEEDED: speed grade PBC data rate] |
| Process | — | CMOS |
| Lead-Free / Halogen-Free | — | Yes (per family datasheet, Lead-Free & Halogen-Free) |
| Temperature Grade | — | OTHER (per distributor listing) |