MT40A2G8AG-062E vs H5ANAG8NCMR-VKC مقایسه
مقایسه دقیق کنار به کنار MT40A2G8AG-062E توسط Micron Technology و H5ANAG8NCMR-VKC توسط SK hynix. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.
مقایسه مشخصات
| پارامتر | MT40A2G8AG-062E | H5ANAG8NCMR-VKC |
|---|---|---|
| برند | Micron Technology | SK hynix |
| دسته‌بندی | Memory ICs | Memory ICs |
| وضعیت چرخه عمر | فعال | فعال |
| نوع حافظه | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 16 Gbit | — |
| سازمان | 2G x 8 | — |
| Speed | DDR4-3200 (3200 MT/s) | — |
| Clock Frequency | 1600 MHz | — |
| Access Time (Clock Cycle Time) | 0.625 ns (tCK) | — |
| تأخیر CAS | CL22 (DDR4-3200) | [DATA_NEEDED: CAS latency for VK speed bin] |
| Access Time | 19 ns | — |
| Supply Voltage VDD | 1.2 V | — |
| I/O Interface | POD12 (1.2 V pseudo-open drain) | — |
| VPP Voltage | 2.5 V | — |
| Number of Banks | 16 (4 bank groups x 4 banks) | — |
| Operating Temperature (AUT grade) | -40C to +95C (per Micron grade table) | — |
| بسته‌بندی | 78-FBGA (7.5 x 11 mm) | FBGA-78 |
| نوع نصب | Surface Mount | Surface Mount |
| وضعیت RoHS | Compliant | [DATA_NEEDED: RoHS status] |
| Die Revision | AG (current generation) | — |
| اندازه حافظه | — | 16 Gb |
| Memory Organization | — | 2G x 8 |
| نرخ داده | — | 2666 Mbps/pin (DDR4-2666) |
| Supply Voltage (VDD) | — | 1.2 V |
| I/O Voltage (VDDQ) | — | 1.2 V |
| Speed Grade | — | VK (per SK hynix speed-bin suffix) |
| Power Class | — | Normal Power |
| Bank Groups | — | 4 |
| Banks Total | — | 16 |
| دمای کاری | — | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| Packaging | — | [DATA_NEEDED: standard packing quantity] |
| Manufacturer Process | — | CMOS DRAM |