MT53E2G64D8TN-046 vs H58G56AK6QX032N مقایسه
مقایسه دقیق کنار به کنار MT53E2G64D8TN-046 توسط Micron Technology و H58G56AK6QX032N توسط SK hynix. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.
Micron Technology
MT53E2G64D8TN-046 - 128Gbit LPDDR4X SDRAM 556-Ball | Micron
MT53E2G64D8TN-046 ✓ فعال
مقایسه مشخصات
| پارامتر | MT53E2G64D8TN-046 | H58G56AK6QX032N |
|---|---|---|
| برند | Micron Technology | SK hynix |
| دسته‌بندی | Memory ICs | Memory ICs |
| وضعیت چرخه عمر | فعال | فعال |
| نوع حافظه | Mobile LPDDR4X SDRAM | LPDDR5 SDRAM |
| اندازه حافظه | 128 Gbit (16 GB) | — |
| سازمان | 2G x 64 | 512M x 64 |
| رابط | Parallel | — |
| Clock Frequency | 2.133 GHz | — |
| Access Time | 3.5 ns | — |
| Speed Grade | -046 (4266 Mbps/pin) | — |
| Supply Voltage (VDD) | 1.1 V / 1.8 V (per variant) | — |
| بسته‌بندی | 556-ball LFBGA (12.4 mm x 12.4 mm) | FBGA-315 |
| Ball Pitch | [DATA_NEEDED: ball pitch] | — |
| نوع نصب | Surface Mount | Surface Mount |
| Operating Temperature (AAT:C) | 0C to +95C | — |
| Operating Temperature (AIT:C) | -40C to +95C | — |
| Operating Temperature (AUT:C) | -40C to +105C | — |
| Automotive Qualification (AUT variant) | AEC-Q100 qualified | — |
| عرض گذرگاه داده | 64 bit | — |
| Write Cycle Time | 18 ns | — |
| وضعیت RoHS | [DATA_NEEDED: RoHS status] | [DATA_NEEDED: RoHS status] |
| Density | — | 32Gb (4GB) |
| نرخ داده | — | 6400 Mbps per pin |
| Bus Width | — | x16 (x64 variant per sourcing data) |
| Core Voltage (VDD) | — | 0.5 V |
| I/O Voltage (VDDQ) | — | 0.5 V |
| Interface Voltage (VDD2) | — | 1.8 V / 1.05 V |
| Grade | — | Automotive |
| Applications | — | Data storage, firmware boot, embedded logging, industrial controllers, computing modules |
| Standard | — | JEDEC LPDDR5 |
| دمای کاری | — | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| Reflow/MSL Rating | — | [DATA_NEEDED: MSL level] |