YZ48G08V-F9HPI-M vs MT40A1G8SA-062E مقایسه

مقایسه دقیق کنار به کنار YZ48G08V-F9HPI-M توسط Loongtion و MT40A1G8SA-062E توسط Micron Technology. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.

Loongtion
YZ48G08V-F9HPI-M YZ48G08V-F9HPI-M - 8Gb DDR4 SDRAM, 3200 MT/s | Loongtion

YZ48G08V-F9HPI-M - 8Gb DDR4 SDRAM, 3200 MT/s | Loongtion

YZ48G08V-F9HPI-M ✓ فعال
Micron Technology
MT40A1G8SA-062E MT40A1G8SA-062E - 8Gb DDR4 SDRAM 3200MT/s | Micron

MT40A1G8SA-062E - 8Gb DDR4 SDRAM 3200MT/s | Micron

MT40A1G8SA-062E ✓ فعال

مقایسه مشخصات

پارامتر YZ48G08V-F9HPI-M MT40A1G8SA-062E
برند Loongtion Micron Technology
دسته‌بندی Memory ICs Memory ICs
وضعیت چرخه عمر فعال فعال
نوع حافظه DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Density 8 Gb 8 Gbit
سازمان 1G x 8 1G x 8
نرخ داده 3200 MT/s 3200 MT/s (DDR4-3200)
ولتاژ تغذیه 1.2 V —
محدوده دمای کاری -40°C to +85°C —
Package Type FBGA78 —
نوع نصب Surface Mount Surface Mount
رابط Parallel —
تأخیر CAS [DATA_NEEDED: CAS Latency] —
Row Cycle Time (tRC) [DATA_NEEDED: tRC] —
Refresh Cycle Time (tRFC) [DATA_NEEDED: tRFC] —
وضعیت RoHS Compliant —
REACH Status Compliant —
AEC-Q100 Not Applicable —
Clock Frequency — 1.6 GHz
Access Time (CAS Latency) — CL22 at 3200 MT/s
Row Access Time — 19 ns
VDD / VDDQ — 1.2 V +/-60 mV
VPP — 2.5 V, -125 mV, +250 mV
Internal Banks — 16 banks (4 bank groups x 4 banks)
Refresh — 8192-cycle; 64 ms (0-85C), 32 ms (85-95C), 16 ms (>95C)
دمای کاری — 0C to +95C (CT range; IT: -40C to +95C)
I/O Type — 1.2 V pseudo open-drain
Burst Length — BL8, BC4 (burst chop)
بسته‌بندی — 78-ball FBGA (7.5 x 11 mm)
ویژگی‌ها — Auto self-refresh, write leveling, dynamic ODT, CRC, auto precharge, ZQ calibration, on-die adjustable VREFDQ

دیتاشیت‌ها و منابع

مرور همه محصولات ایجاد BOM درخواست استعلام قیمت