1EDN7136UXTSA1 vs 2ED21064S06JXUMA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de 1EDN7136UXTSA1 par Infineon et 2ED21064S06JXUMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre 1EDN7136UXTSA1 2ED21064S06JXUMA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,74 $0,85
Fonction High-side / Low-side gate driver IC High-Side and Low-Side Gate Driver
Driven Device Type GaN HEMT, N-channel MOSFET —
Nombre de sorties 2 (high-side and low-side) —
Peak Source Current 1 A —
Peak Sink Current 2 A —
Driver Supply Voltage (Max) 200 V —
Logic Supply Voltage (VCC) [DATA_NEEDED: VCC range] —
Input Type Truly Differential Input (TDI) —
Active Miller Clamp Yes (integrated) —
Under-Voltage Lockout (UVLO) Yes (driver supply and logic input) —
Propagation Delay (Typ) [DATA_NEEDED: propagation delay value] —
Plage de température de fonctionnement -40 C to +150 C —
Boîtier TSNP-6 with exposed pad (PG-VSON-1) PG-DSO-14 (14-pin SOIC)
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Statut RoHS Compliant ROHS3 Compliant
Lead-Free Yes —
Sans halogène Yes (per Infineon product family convention) —
Niveau MSL [DATA_NEEDED: MSL rating] [DATA_NEEDED: MSL level]
Configuration — Half-Bridge (2 outputs, non-inverting)
Topologie — High-Side, Low-Side with integrated bootstrap diode
Maximum Offset / Boot Voltage — 650 V
Supply Voltage (VCC) — 10 V to 20 V
Source Current (typical) — 0.29 A
Sink Current (typical) — 0.7 A
Rise Time (typical) — [DATA_NEEDED: rise time]
Fall Time (typical) — [DATA_NEEDED: fall time]
Propagation Delay (typical) — 100 ns
Channel-to-Channel Delay Match — [DATA_NEEDED: channel-to-channel delay match]
Under-Voltage Lockout — Yes (both channels)
Bootstrap Diode — Integrated
Input Logic Compatibility — 3.3 V / 5 V CMOS
Température de fonctionnement — -40C to +125C
Negative Gate Drive Robustness — -0.7 V

Fiches techniques et ressources

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