1EDN7512GXTMA1 vs 1EDN7116GXTMA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de 1EDN7512GXTMA1 par Infineon et 1EDN7116GXTMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Infineon
1EDN7512GXTMA1 1EDN7512GXTMA1 - 4A/8A Low-Side Gate Driver | Infineon

1EDN7512GXTMA1 - 4A/8A Low-Side Gate Driver | Infineon

1EDN7512GXTMA1 ✓ Actif

Comparaison des spécifications

Paramètre 1EDN7512GXTMA1 1EDN7116GXTMA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,82 $0,84
Fonction Low-side gate driver, single channel Single-channel low-side gate driver for GaN HEMTs and Si MOSFETs
Peak Source Current 4 A 2 A (typ)
Peak Sink Current 8 A 4 A (typ)
Nombre de sorties 1 —
Logic Inputs Inverting and Non-Inverting —
Propagation Delay (typical) 19 ns —
Plage de tension d'entrée [DATA_NEEDED: VCC range] —
Input Robustness (negative) -10 V —
Temps de montée [DATA_NEEDED: typical tr] —
Temps de descente [DATA_NEEDED: typical tf] —
UVLO [DATA_NEEDED: UVLO threshold] Yes (VCC and gate-rail monitored)
Plage de température de fonctionnement -40 C to +125 C -40 °C to +125 °C
Boîtier PG-WSON-6-1 (6-pin WSON with exposed pad) PG-VSON-10-4 (3.0 mm × 3.0 mm)
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Niveau MSL [DATA_NEEDED: MSL rating] MSL3
Statut RoHS Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
Driver Configuration — Non-inverting, single low-side
Number of Drivers — 1
Input Type — Truly Differential Input (TDI)
Supply Voltage (VCC) — 4.5 V to 5.5 V
Switch-Node Blocking Voltage — 200 V (max)
Propagation Delay (Typ) — 9 ns
Rise Time (Typ) — 3 ns
Fall Time (Typ) — 3 ns
Quiescent Current (Typ) — 0.6 mA
Miller Clamp — Integrated, active
Target Switch Technology — GaN HEMT (CoolGaN) or Si MOSFET

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