1EDN7512GXTMA1 vs 1EDN7116GXTMA1 비교

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Infineon
1EDN7512GXTMA1 1EDN7512GXTMA1 - 4A/8A Low-Side Gate Driver | Infineon

1EDN7512GXTMA1 - 4A/8A Low-Side Gate Driver | Infineon

1EDN7512GXTMA1 ✓ 활성

사양 비교

파라미터 1EDN7512GXTMA1 1EDN7116GXTMA1
브랜드 Infineon Infineon
카테고리 Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
수명 주기 상태 활성 활성
재고 상태 In Stock In Stock
단가 (USD) $0.82 $0.84
기능 Low-side gate driver, single channel Single-channel low-side gate driver for GaN HEMTs and Si MOSFETs
Peak Source Current 4 A 2 A (typ)
Peak Sink Current 8 A 4 A (typ)
출력 수 1 —
Logic Inputs Inverting and Non-Inverting —
Propagation Delay (typical) 19 ns —
입력 전압 범위 [DATA_NEEDED: VCC range] —
Input Robustness (negative) -10 V —
상승 시간 [DATA_NEEDED: typical tr] —
하강 시간 [DATA_NEEDED: typical tf] —
UVLO [DATA_NEEDED: UVLO threshold] Yes (VCC and gate-rail monitored)
동작 온도 범위 -40 C to +125 C -40 °C to +125 °C
패키지 PG-WSON-6-1 (6-pin WSON with exposed pad) PG-VSON-10-4 (3.0 mm × 3.0 mm)
실장 유형 Surface Mount Surface Mount
MSL 레벨 [DATA_NEEDED: MSL rating] MSL3
RoHS 상태 Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
Driver Configuration — Non-inverting, single low-side
Number of Drivers — 1
Input Type — Truly Differential Input (TDI)
Supply Voltage (VCC) — 4.5 V to 5.5 V
Switch-Node Blocking Voltage — 200 V (max)
Propagation Delay (Typ) — 9 ns
Rise Time (Typ) — 3 ns
Fall Time (Typ) — 3 ns
Quiescent Current (Typ) — 0.6 mA
Miller Clamp — Integrated, active
Target Switch Technology — GaN HEMT (CoolGaN) or Si MOSFET

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