1EDN7512GXTMA1 vs 1EDN7116GXTMA1 比較

詳細な並列比較: 1EDN7512GXTMA1 メーカー: Infineon および 1EDN7116GXTMA1 メーカー: Infineon。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

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1EDN7512GXTMA1 1EDN7512GXTMA1 - 4A/8A Low-Side Gate Driver | Infineon

1EDN7512GXTMA1 - 4A/8A Low-Side Gate Driver | Infineon

1EDN7512GXTMA1 ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ 1EDN7512GXTMA1 1EDN7116GXTMA1
ブランド Infineon Infineon
カテゴリ Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $0.82 $0.84
機能 Low-side gate driver, single channel Single-channel low-side gate driver for GaN HEMTs and Si MOSFETs
Peak Source Current 4 A 2 A (typ)
Peak Sink Current 8 A 4 A (typ)
出力数 1 —
Logic Inputs Inverting and Non-Inverting —
Propagation Delay (typical) 19 ns —
入力電圧範囲 [DATA_NEEDED: VCC range] —
Input Robustness (negative) -10 V —
立ち上がり時間 [DATA_NEEDED: typical tr] —
立ち下がり時間 [DATA_NEEDED: typical tf] —
UVLO [DATA_NEEDED: UVLO threshold] Yes (VCC and gate-rail monitored)
動作温度範囲 -40 C to +125 C -40 °C to +125 °C
パッケージ PG-WSON-6-1 (6-pin WSON with exposed pad) PG-VSON-10-4 (3.0 mm × 3.0 mm)
実装タイプ Surface Mount Surface Mount
MSLレベル [DATA_NEEDED: MSL rating] MSL3
RoHS ステータス Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
Driver Configuration — Non-inverting, single low-side
Number of Drivers — 1
Input Type — Truly Differential Input (TDI)
Supply Voltage (VCC) — 4.5 V to 5.5 V
Switch-Node Blocking Voltage — 200 V (max)
Propagation Delay (Typ) — 9 ns
Rise Time (Typ) — 3 ns
Fall Time (Typ) — 3 ns
Quiescent Current (Typ) — 0.6 mA
Miller Clamp — Integrated, active
Target Switch Technology — GaN HEMT (CoolGaN) or Si MOSFET

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