2EDL8034G4CXTMA1 vs 2ED2103S06FXUMA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de 2EDL8034G4CXTMA1 par Infineon et 2ED2103S06FXUMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre 2EDL8034G4CXTMA1 2ED2103S06FXUMA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $1,55 $0,94
Driver Type Half-Bridge (High-Side / Low-Side) —
Configuration Non-Inverting Non-Inverting
Bootstrap Voltage (Max) 120 V 675 V
Peak Source Current 3 A —
Peak Sink Current 4 A —
Nombre de sorties 2 —
Rise Time (Typical) [DATA_NEEDED: rise time ns] —
Fall Time (Typical) [DATA_NEEDED: fall time ns] —
Propagation Delay (Typical) [DATA_NEEDED: propagation delay ns] —
Input Logic Compatibility 3.3 V / 5 V —
VCC Supply Voltage [DATA_NEEDED: VCC range V] —
UVLO Protection Yes (VCC and VBS) —
Isolation Type Junction-isolated (level-shifted) —
ESD Rating (HBM) [DATA_NEEDED: ESD HBM kV] —
Température de jonction en fonctionnement -40 C to +125 C —
Boîtier PG-VDSON-10-2 (DSN-10) with exposed pad PG-DSO-8-69 (DSO-8 with exposed pad)
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Lead-Free / RoHS Yes (per Infineon product page) —
Niveau MSL [DATA_NEEDED: MSL level] [DATA_NEEDED: MSL level]
Fonction — Half-Bridge Gate Driver
Technology — High-Voltage Level Shift (SOI)
Number of Drivers — 2 (high-side + low-side)
Driven Device Type — IGBT, N-Channel MOSFET
High-Side Offset Voltage (Max) — 650 V
Supply Voltage (VCC) — 10 V to 20 V
Source Current (typ.) — 0.29 A
Sink Current (typ.) — 0.7 A
Bootstrap Diode — Integrated
Logic Input Compatibility — 3.3 V / 5 V
Under-Voltage Lockout (UVLO) — Yes (VCC and VBS)
Plage de température de fonctionnement — -40C to +125C
Statut RoHS — Compliant

Fiches techniques et ressources

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