2EDL8034G4CXTMA1 vs 2ED2103S06FXUMA1 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de 2EDL8034G4CXTMA1 por Infineon e 2ED2103S06FXUMA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro 2EDL8034G4CXTMA1 2ED2103S06FXUMA1
Marca Infineon Infineon
Categoria Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $1,55 $0,94
Driver Type Half-Bridge (High-Side / Low-Side) —
Configuration Non-Inverting Non-Inverting
Bootstrap Voltage (Max) 120 V 675 V
Peak Source Current 3 A —
Peak Sink Current 4 A —
Número de saídas 2 —
Rise Time (Typical) [DATA_NEEDED: rise time ns] —
Fall Time (Typical) [DATA_NEEDED: fall time ns] —
Propagation Delay (Typical) [DATA_NEEDED: propagation delay ns] —
Input Logic Compatibility 3.3 V / 5 V —
VCC Supply Voltage [DATA_NEEDED: VCC range V] —
UVLO Protection Yes (VCC and VBS) —
Isolation Type Junction-isolated (level-shifted) —
ESD Rating (HBM) [DATA_NEEDED: ESD HBM kV] —
Temperatura de junção de operação -40 C to +125 C —
Encapsulamento PG-VDSON-10-2 (DSN-10) with exposed pad PG-DSO-8-69 (DSO-8 with exposed pad)
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Lead-Free / RoHS Yes (per Infineon product page) —
Nível MSL [DATA_NEEDED: MSL level] [DATA_NEEDED: MSL level]
Função — Half-Bridge Gate Driver
Technology — High-Voltage Level Shift (SOI)
Number of Drivers — 2 (high-side + low-side)
Driven Device Type — IGBT, N-Channel MOSFET
High-Side Offset Voltage (Max) — 650 V
Supply Voltage (VCC) — 10 V to 20 V
Source Current (typ.) — 0.29 A
Sink Current (typ.) — 0.7 A
Bootstrap Diode — Integrated
Logic Input Compatibility — 3.3 V / 5 V
Under-Voltage Lockout (UVLO) — Yes (VCC and VBS)
Faixa de temperatura de operação — -40C to +125C
Status RoHS — Compliant

Fichas técnicas e recursos

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