6ED003L02F2XUMA1 vs 6EDL04N02PRXUMA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de 6ED003L02F2XUMA1 par Infineon et 6EDL04N02PRXUMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Infineon
6EDL04N02PRXUMA1 6EDL04N02PRXUMA1 - 200V 3-Phase Gate Driver IC | Infineon

6EDL04N02PRXUMA1 - 200V 3-Phase Gate Driver IC | Infineon

6EDL04N02PRXUMA1 ✓ Actif

Comparaison des spécifications

Paramètre 6ED003L02F2XUMA1 6EDL04N02PRXUMA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $3,31 $2,32
Product Type Three-phase gate driver IC 3-Phase Gate Driver IC
Topologie Half-bridge, 3-phase, high-side / low-side —
Nombre de sorties 6 (3 high-side + 3 low-side) —
Maximum Blocking Voltage 200 V +180 V (VS referenced to GND for high side)
Supported Power Switches 180 V-class IGBTs, power MOSFETs —
Gate Drive Current (typ.) 0.375 A (source/sink) —
Output Polarity Inverting —
Over-Current Protection (OCP) Integrated comparator with FAULT output —
Enable Input Yes (hardware shutdown) —
FAULT Reporting Yes (open-drain fault output) —
Level-shift Technology LS-SOI (Infineon proprietary) —
Boîtier PG-TSSOP-28 PG-TSSOP-28 (28-pin, 4.40 mm width, exposed pad)
Packaging Form Tape & Reel (XUMA1 suffix) —
Température de fonctionnement -40 C to +125 C (industrial) —
Compliance EU RoHS compliant —
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Driver Configuration — Half-bridge (3 high-side + 3 low-side)
Rated Supply Voltage (VCC) — 200 V class (operating range 10 V to 20 V on VCC)
Source Current (typ.) — 0.375 A
Sink Current (typ.) — 0.75 A
Bootstrap Diode — Integrated (BSD) on all 3 high-side drivers
Over-Current Protection — Yes (single-shunt, ITRIP/CIN pin)
Enable Pin (EN) — Yes (active-high)
Fault Output (nFAULT) — Yes (active-low, open-drain)
Input Logic Compatibility — CMOS / LSTTL, 3.3 V and 5 V
Interlocking / Anti-shoot-through — Yes (built-in per phase pair)
Process Technology — Thin-film SOI (Silicon-On-Insulator)
Plage de température de fonctionnement — -40 °C to +125 °C
Maximum Junction Temperature — +150 °C
Target Switches — MOSFETs up to 180 V, IGBTs up to 180 V
Niveau MSL — MSL3 (per JEDEC J-STD-020, [DATA_NEEDED: confirm level])
Statut RoHS — Compliant

Fiches techniques et ressources

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