6EDL04I065PRXUMA1 vs 6EDL04N02PRXUMA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de 6EDL04I065PRXUMA1 par Infineon et 6EDL04N02PRXUMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Infineon
6EDL04I065PRXUMA1 6EDL04I065PRXUMA1 - 650V 3-Phase Gate Driver IC | Infineon

6EDL04I065PRXUMA1 - 650V 3-Phase Gate Driver IC | Infineon

6EDL04I065PRXUMA1 ✓ Actif
Infineon
6EDL04N02PRXUMA1 6EDL04N02PRXUMA1 - 200V 3-Phase Gate Driver IC | Infineon

6EDL04N02PRXUMA1 - 200V 3-Phase Gate Driver IC | Infineon

6EDL04N02PRXUMA1 ✓ Actif

Comparaison des spécifications

Paramètre 6EDL04I065PRXUMA1 6EDL04N02PRXUMA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $2,65 $2,32
Product Type Three-Phase Gate Driver IC 3-Phase Gate Driver IC
Topologie Half-Bridge, 3-phase (6 outputs) —
Blocking Voltage 650 V —
Configuration de sortie 6 outputs (3 high-side + 3 low-side) —
Logic Inputs Non-Inverting —
Source Current (typ.) 0.24 A 0.375 A
Sink Current (typ.) 0.5 A 0.75 A
Logic Supply Voltage (VCC) 3.3 V to 5 V (typ. 5 V) —
High-Side Floating Supply Voltage (VB) up to 650 V (offset) —
Bootstrap Diodes Integrated (3x) —
Over-Current Protection (OCP) Yes —
Under-Voltage Lockout (UVLO) Yes (per channel) —
Fault Output Yes (open-drain / active-low) —
Propagation Delay (typ.) [DATA_NEEDED: propagation delay] —
Température de jonction en fonctionnement -40 C to +125 C —
Boîtier PG-TSSOP-25 PG-TSSOP-28 (28-pin, 4.40 mm width, exposed pad)
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Niveau MSL 2 (per JEDEC J-STD-020) MSL3 (per JEDEC J-STD-020, [DATA_NEEDED: confirm level])
Statut RoHS Compliant Compliant
Driver Configuration — Half-bridge (3 high-side + 3 low-side)
Maximum Blocking Voltage — +180 V (VS referenced to GND for high side)
Rated Supply Voltage (VCC) — 200 V class (operating range 10 V to 20 V on VCC)
Bootstrap Diode — Integrated (BSD) on all 3 high-side drivers
Over-Current Protection — Yes (single-shunt, ITRIP/CIN pin)
Enable Pin (EN) — Yes (active-high)
Fault Output (nFAULT) — Yes (active-low, open-drain)
Input Logic Compatibility — CMOS / LSTTL, 3.3 V and 5 V
Interlocking / Anti-shoot-through — Yes (built-in per phase pair)
Process Technology — Thin-film SOI (Silicon-On-Insulator)
Plage de température de fonctionnement — -40 °C to +125 °C
Maximum Junction Temperature — +150 °C
Target Switches — MOSFETs up to 180 V, IGBTs up to 180 V

Fiches techniques et ressources

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