BSS138LT1G-VB vs 2N7002LT1G Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de BSS138LT1G-VB par VBsemi Elec et 2N7002LT1G par onsemi. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | BSS138LT1G-VB | 2N7002LT1G |
|---|---|---|
| Marque | VBsemi Elec | onsemi |
| Catégorie | MOSFETs | MOSFETs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $0,02 | $0,02 |
| Type de transistor | N-Channel Enhancement Mode MOSFET | — |
| Drain-Source Voltage (Vdss) | 50 V | — |
| Continuous Drain Current (Id) | 200 mA (Ta) | — |
| Power Dissipation (Pd) | 225 mW (Ta) | — |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Boîtier | SOT-23-3 (TO-236) | SOT-23-3 (TO-236) |
| Configuration | Single FET | Single FET |
| Gate Threshold Voltage (Vgs th) | [DATA_NEEDED: gate threshold voltage] | — |
| RDS(on) Max | [DATA_NEEDED: RDS(on)] | — |
| Drive Voltage | [DATA_NEEDED: drive voltage] | — |
| Input Capacitance (Ciss) | [DATA_NEEDED: Ciss] | — |
| Total Gate Charge (Qg) | [DATA_NEEDED: Qg] | — |
| Température de fonctionnement | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | — |
| Statut RoHS | Compliant | — |
| Manufacturer | VBsemi Elec | onsemi (ON Semiconductor) |
| Equivalent To | onsemi BSS138LT1G | — |
| Polarity | — | N-Channel |
| Channel Mode | — | Enhancement Mode |
| Drain-Source Voltage VDSS | — | 60 V |
| Continuous Drain Current ID | — | 115 mA (Tc) |
| Power Dissipation PD | — | 225 mW (Ta) |
| Maximum RDS(on) | — | 7.5 ohm @ VGS = 5 V |
| Nombre de broches | — | 3 |
| Catégorie | — | Small Signal MOSFET |
| Technology | — | MOSFET |
| Lead Finish | — | [DATA_NEEDED: lead finish/plating] |
| Plage de température de fonctionnement | — | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| Packaging | — | [DATA_NEEDED: packaging type] |