BSS138LT1G-VB vs 2N7002LT1G Сравнение

Подробное сравнение бок о бок BSS138LT1G-VB от VBsemi Elec и 2N7002LT1G от onsemi. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.

VBsemi Elec
BSS138LT1G-VB BSS138LT1G-VB - 50V 200mA N-Channel MOSFET | VBsemi

BSS138LT1G-VB - 50V 200mA N-Channel MOSFET | VBsemi

BSS138LT1G-VB ✓ Активен
onsemi
2N7002LT1G 2N7002LT1G - 60V N-Channel MOSFET SOT-23 | onsemi

2N7002LT1G - 60V N-Channel MOSFET SOT-23 | onsemi

2N7002LT1G ✓ Активен

Сравнение характеристик

Параметр BSS138LT1G-VB 2N7002LT1G
Бренд VBsemi Elec onsemi
Категория MOSFETs MOSFETs
Статус жизненного цикла Активен Активен
Наличие In Stock In Stock
Цена за единицу (USD) $0,02 $0,02
Тип транзистора N-Channel Enhancement Mode MOSFET —
Drain-Source Voltage (Vdss) 50 V —
Continuous Drain Current (Id) 200 mA (Ta) —
Power Dissipation (Pd) 225 mW (Ta) —
Тип монтажа Surface Mount Surface Mount
Корпус SOT-23-3 (TO-236) SOT-23-3 (TO-236)
Configuration Single FET Single FET
Gate Threshold Voltage (Vgs th) [DATA_NEEDED: gate threshold voltage] —
RDS(on) Max [DATA_NEEDED: RDS(on)] —
Drive Voltage [DATA_NEEDED: drive voltage] —
Input Capacitance (Ciss) [DATA_NEEDED: Ciss] —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg] —
Рабочая температура [DATA_NEEDED: operating temperature range] —
Статус RoHS Compliant —
Manufacturer VBsemi Elec onsemi (ON Semiconductor)
Equivalent To onsemi BSS138LT1G —
Polarity — N-Channel
Channel Mode — Enhancement Mode
Drain-Source Voltage VDSS — 60 V
Continuous Drain Current ID — 115 mA (Tc)
Power Dissipation PD — 225 mW (Ta)
Maximum RDS(on) — 7.5 ohm @ VGS = 5 V
Количество выводов — 3
Категория — Small Signal MOSFET
Technology — MOSFET
Lead Finish — [DATA_NEEDED: lead finish/plating]
Диапазон рабочих температур — [DATA_NEEDED: operating temperature range]
Packaging — [DATA_NEEDED: packaging type]

Даташиты & ресурсы

Все товары Создать BOM Запросить цену