BSS138LT1G-VB vs 2N7002LT1G Comparação

Comparação detalhada lado a lado de BSS138LT1G-VB por VBsemi Elec e 2N7002LT1G por onsemi. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

VBsemi Elec
BSS138LT1G-VB BSS138LT1G-VB - 50V 200mA N-Channel MOSFET | VBsemi

BSS138LT1G-VB - 50V 200mA N-Channel MOSFET | VBsemi

BSS138LT1G-VB ✓ Ativo

Comparação de especificações

Parâmetro BSS138LT1G-VB 2N7002LT1G
Marca VBsemi Elec onsemi
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $0,02 $0,02
Tipo de transistor N-Channel Enhancement Mode MOSFET —
Drain-Source Voltage (Vdss) 50 V —
Continuous Drain Current (Id) 200 mA (Ta) —
Power Dissipation (Pd) 225 mW (Ta) —
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Encapsulamento SOT-23-3 (TO-236) SOT-23-3 (TO-236)
Configuration Single FET Single FET
Gate Threshold Voltage (Vgs th) [DATA_NEEDED: gate threshold voltage] —
RDS(on) Max [DATA_NEEDED: RDS(on)] —
Drive Voltage [DATA_NEEDED: drive voltage] —
Input Capacitance (Ciss) [DATA_NEEDED: Ciss] —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg] —
Temperatura de operação [DATA_NEEDED: operating temperature range] —
Status RoHS Compliant —
Manufacturer VBsemi Elec onsemi (ON Semiconductor)
Equivalent To onsemi BSS138LT1G —
Polarity — N-Channel
Channel Mode — Enhancement Mode
Drain-Source Voltage VDSS — 60 V
Continuous Drain Current ID — 115 mA (Tc)
Power Dissipation PD — 225 mW (Ta)
Maximum RDS(on) — 7.5 ohm @ VGS = 5 V
Número de pinos — 3
Categoria — Small Signal MOSFET
Technology — MOSFET
Lead Finish — [DATA_NEEDED: lead finish/plating]
Faixa de temperatura de operação — [DATA_NEEDED: operating temperature range]
Packaging — [DATA_NEEDED: packaging type]

Fichas técnicas e recursos

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