BSS138LT1G-VB vs 2N7002LT1G 비교

다음의 상세 나란히 비교: BSS138LT1G-VB 제조: VBsemi Elec 및 2N7002LT1G 제조: onsemi. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.

VBsemi Elec
BSS138LT1G-VB BSS138LT1G-VB - 50V 200mA N-Channel MOSFET | VBsemi

BSS138LT1G-VB - 50V 200mA N-Channel MOSFET | VBsemi

BSS138LT1G-VB ✓ 활성

사양 비교

파라미터 BSS138LT1G-VB 2N7002LT1G
브랜드 VBsemi Elec onsemi
카테고리 MOSFETs MOSFETs
수명 주기 상태 활성 활성
재고 상태 In Stock In Stock
단가 (USD) $0.02 $0.02
트랜지스터 유형 N-Channel Enhancement Mode MOSFET —
Drain-Source Voltage (Vdss) 50 V —
Continuous Drain Current (Id) 200 mA (Ta) —
Power Dissipation (Pd) 225 mW (Ta) —
실장 유형 Surface Mount Surface Mount
패키지 SOT-23-3 (TO-236) SOT-23-3 (TO-236)
Configuration Single FET Single FET
Gate Threshold Voltage (Vgs th) [DATA_NEEDED: gate threshold voltage] —
RDS(on) Max [DATA_NEEDED: RDS(on)] —
Drive Voltage [DATA_NEEDED: drive voltage] —
Input Capacitance (Ciss) [DATA_NEEDED: Ciss] —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg] —
동작 온도 [DATA_NEEDED: operating temperature range] —
RoHS 상태 Compliant —
Manufacturer VBsemi Elec onsemi (ON Semiconductor)
Equivalent To onsemi BSS138LT1G —
Polarity — N-Channel
Channel Mode — Enhancement Mode
Drain-Source Voltage VDSS — 60 V
Continuous Drain Current ID — 115 mA (Tc)
Power Dissipation PD — 225 mW (Ta)
Maximum RDS(on) — 7.5 ohm @ VGS = 5 V
핀 수 — 3
카테고리 — Small Signal MOSFET
Technology — MOSFET
Lead Finish — [DATA_NEEDED: lead finish/plating]
동작 온도 범위 — [DATA_NEEDED: operating temperature range]
Packaging — [DATA_NEEDED: packaging type]

데이터시트 & 자료

모든 제품 보기 BOM 생성 견적 요청