H5AN4G6NBJR-VKC vs H5ANAG6NBJR-PBC Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de H5AN4G6NBJR-VKC par SK hynix et H5ANAG6NBJR-PBC par SK hynix. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

SK hynix
H5ANAG6NBJR-PBC H5ANAG6NBJR-PBC - 16Gb DDR4 SDRAM DRAM Chip | SK hynix

H5ANAG6NBJR-PBC - 16Gb DDR4 SDRAM DRAM Chip | SK hynix

H5ANAG6NBJR-PBC ✓ Actif

Comparaison des spécifications

Paramètre H5AN4G6NBJR-VKC H5ANAG6NBJR-PBC
Marque SK hynix SK hynix
Catégorie Memory ICs Memory ICs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $12,96 $6,45
Type de mémoire DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Taille de mémoire 4 Gbit —
Memory Organization 256M x 16 —
Débit de données 2666 Mbps —
Clock Frequency 1.6 GHz (internal reference per distributor data) —
Supply Voltage (VDD) 1.2 V nominal (1.14 V to 1.26 V) —
Operating Current 38 mA (typical, per distributor data) —
Interface Parallel —
Technology CMOS —
Température de fonctionnement -40C to +95C [DATA_NEEDED: Operating Temperature]
Boîtier FBGA-96 / TFBGA (PBGA96) FBGA-96
Body Size 13 mm, 1.2 mm profile, 0.8 mm ball pitch —
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Termination Dynamic on-chip termination (ODT) —
Calibration ZQ calibration; write leveling —
Protection Functions Asynchronous reset; CRC; data mask —
Refresh Auto self-refresh —
Statut RoHS Compliant [DATA_NEEDED: RoHS Status]
Packaging Tray —
Density — 16 Gb (2 GB)
Tension d'alimentation — 1.2 V
Generation Max Data Rate — 3200 MT/s (family max)
Self Refresh — Auto self-refresh
Data Mask Function — Yes
Asynchronous Reset — Yes
On-Chip Termination — Dynamic ODT
ZQ Calibration — Yes
Write Leveling — Yes
CRC Function — Yes
Speed Bin (PBC) — [DATA_NEEDED: Speed grade MT/s]
Organisation de la mémoire — [DATA_NEEDED: Organization x16/x8]

Fiches techniques et ressources

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