H5AN4G6NBJR-VKC vs H5ANAG6NBJR-PBC Comparação

Comparação detalhada lado a lado de H5AN4G6NBJR-VKC por SK hynix e H5ANAG6NBJR-PBC por SK hynix. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

SK hynix
H5ANAG6NBJR-PBC H5ANAG6NBJR-PBC - 16Gb DDR4 SDRAM DRAM Chip | SK hynix

H5ANAG6NBJR-PBC - 16Gb DDR4 SDRAM DRAM Chip | SK hynix

H5ANAG6NBJR-PBC ✓ Ativo

Comparação de especificações

Parâmetro H5AN4G6NBJR-VKC H5ANAG6NBJR-PBC
Marca SK hynix SK hynix
Categoria Memory ICs Memory ICs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $12,96 $6,45
Tipo de memória DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Tamanho da memória 4 Gbit —
Memory Organization 256M x 16 —
Taxa de dados 2666 Mbps —
Clock Frequency 1.6 GHz (internal reference per distributor data) —
Supply Voltage (VDD) 1.2 V nominal (1.14 V to 1.26 V) —
Operating Current 38 mA (typical, per distributor data) —
Interface Parallel —
Technology CMOS —
Temperatura de operação -40C to +95C [DATA_NEEDED: Operating Temperature]
Encapsulamento FBGA-96 / TFBGA (PBGA96) FBGA-96
Body Size 13 mm, 1.2 mm profile, 0.8 mm ball pitch —
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Termination Dynamic on-chip termination (ODT) —
Calibration ZQ calibration; write leveling —
Protection Functions Asynchronous reset; CRC; data mask —
Refresh Auto self-refresh —
Status RoHS Compliant [DATA_NEEDED: RoHS Status]
Packaging Tray —
Density — 16 Gb (2 GB)
Tensão de alimentação — 1.2 V
Generation Max Data Rate — 3200 MT/s (family max)
Self Refresh — Auto self-refresh
Data Mask Function — Yes
Asynchronous Reset — Yes
On-Chip Termination — Dynamic ODT
ZQ Calibration — Yes
Write Leveling — Yes
CRC Function — Yes
Speed Bin (PBC) — [DATA_NEEDED: Speed grade MT/s]
Organização da memória — [DATA_NEEDED: Organization x16/x8]

Fichas técnicas e recursos

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