H5AN4G6NBJR-VKC vs H5ANAG6NBJR-PBC 比較

詳細な並列比較: H5AN4G6NBJR-VKC メーカー: SK hynix および H5ANAG6NBJR-PBC メーカー: SK hynix。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

SK hynix
H5AN4G6NBJR-VKC H5AN4G6NBJR-VKC - 4Gb DDR4 SDRAM 2666Mbps x16 | SK Hynix

H5AN4G6NBJR-VKC - 4Gb DDR4 SDRAM 2666Mbps x16 | SK Hynix

H5AN4G6NBJR-VKC ✓ 生産中
SK hynix
H5ANAG6NBJR-PBC H5ANAG6NBJR-PBC - 16Gb DDR4 SDRAM DRAM Chip | SK hynix

H5ANAG6NBJR-PBC - 16Gb DDR4 SDRAM DRAM Chip | SK hynix

H5ANAG6NBJR-PBC ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ H5AN4G6NBJR-VKC H5ANAG6NBJR-PBC
ブランド SK hynix SK hynix
カテゴリ Memory ICs Memory ICs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $12.96 $6.45
メモリタイプ DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
メモリサイズ 4 Gbit —
Memory Organization 256M x 16 —
データレート 2666 Mbps —
Clock Frequency 1.6 GHz (internal reference per distributor data) —
Supply Voltage (VDD) 1.2 V nominal (1.14 V to 1.26 V) —
Operating Current 38 mA (typical, per distributor data) —
インターフェース Parallel —
Technology CMOS —
動作温度 -40C to +95C [DATA_NEEDED: Operating Temperature]
パッケージ FBGA-96 / TFBGA (PBGA96) FBGA-96
Body Size 13 mm, 1.2 mm profile, 0.8 mm ball pitch —
実装タイプ Surface Mount Surface Mount
Termination Dynamic on-chip termination (ODT) —
Calibration ZQ calibration; write leveling —
Protection Functions Asynchronous reset; CRC; data mask —
Refresh Auto self-refresh —
RoHS ステータス Compliant [DATA_NEEDED: RoHS Status]
Packaging Tray —
Density — 16 Gb (2 GB)
電源電圧 — 1.2 V
Generation Max Data Rate — 3200 MT/s (family max)
Self Refresh — Auto self-refresh
Data Mask Function — Yes
Asynchronous Reset — Yes
On-Chip Termination — Dynamic ODT
ZQ Calibration — Yes
Write Leveling — Yes
CRC Function — Yes
Speed Bin (PBC) — [DATA_NEEDED: Speed grade MT/s]
メモリ構成 — [DATA_NEEDED: Organization x16/x8]

データシート&リソース

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